国产成人无码专区_功率MOSFET案例解析（二）

干貨

功率MOS場(chǎng)效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著(zhù)氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體（S）的場(chǎng)效應晶體管。

鋰電池短路保護：功率MOSFET及驅動(dòng)電路的選擇與設計

鋰電池具有能量高、使用壽命長(cháng)、重量輕、綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的應用。在鋰電池的應用中，短路保護設計和整個(gè)系統的可靠性直接相關(guān)，因此，要保證電池安全工作，不僅要選擇合適的功率MOSFET，而且要設計合適的驅動(dòng)電路。本文將講解如何選取功率MOSFET型號及設計合適的驅動(dòng)電路。詳細閱讀>>

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N溝道功率MOSFET

Vishay推出6.15mmx5.15mm PowerPAK?SO-8單體封裝的60V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiR626DP。SiR626DP專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達到同類(lèi)產(chǎn)品最低水平。詳細閱讀>>

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

Vishay推出最新第四代600V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低27%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60%。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類(lèi)器件中達到業(yè)內最低水平，該參數是600V MOSFET在功率轉換應用中的關(guān)鍵指標 (FOM)。詳細閱讀>>

通過(guò)功率MOSFET的頂面溫度估算結點(diǎn)溫度

本文中，我們提出了一種根據器件的頂面溫度估算MOSFET結點(diǎn)溫度的快速而簡(jiǎn)單的方法，這易于利用一臺探針臺（bench probe）予以確定。為了開(kāi)發(fā)一個(gè)利用頂面溫度計算出結點(diǎn)溫度的公式，我們利用Vishay Siliconix基于網(wǎng)絡(luò )的ThermaSim? 在不同條件下運行了一組對流行MOSFET封裝類(lèi)型的實(shí)驗。為了得到與數據手冊更好的一致性，應該在1英寸×1英寸的正方形FR-4板上安裝MOSFET。詳細閱讀>>

理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

功率MOSFET管的柵極電荷特性表述了柵極電壓和柵極電荷的關(guān)系，結合柵極的電荷特性和漏極的導通特性可以直觀(guān)而形象的理解MOSFET開(kāi)通及關(guān)斷過(guò)程。通常很多電子工程師知道，由于米勒電容的效應，MOSFET在開(kāi)通及關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，在他們選型的時(shí)候，就會(huì )重點(diǎn)檢查功率MOSFET管數據表的Qg和Ciss這兩個(gè)參數，認為這兩個(gè)因素主要影響開(kāi)關(guān)損耗，本文將詳細的分析計算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。詳細閱讀>>

東芝推出新一代超結功率MOSFET

東芝推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于數據中心服務(wù)器電源、太陽(yáng)能(PV)功率調節器、不間斷電源系統(UPS)和其他工業(yè)應用。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

理解功率MOSFET的電流

通常，在功率MOSFET的數據表中的第一頁(yè)，列出了連續漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然而對于許多電子工程師來(lái)說(shuō)，他們對于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設計過(guò)程中，它們如何影響系統以及如何選取這些電流值，常常感到困惑不解，本文將系統的闡述這些問(wèn)題，并說(shuō)明在實(shí)際的應用過(guò)程中如何考慮這些因素，最后給出選取它們的原則。詳細閱讀>>

硅功率MOSFET前景堪憂(yōu)？

30年前硅功率MOSFET的出現使市場(chǎng)快速接受開(kāi)關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強型GaN HEMT器件在開(kāi)關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？詳細閱讀>>

大、中功率MOSFET與IGBT驅動(dòng)電路方案探討

隨著(zhù)電力電子技術(shù)和電力半導體器件的飛速發(fā)展，近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源等各種高性能、低損耗和低噪聲的場(chǎng)合得到了廣泛的應用。這些功率器件的運行狀態(tài)直接決定了設備性能的優(yōu)劣，而性能良好的驅動(dòng)電路又是開(kāi)關(guān)器件安全可靠運行的重要保障。在設計MOSFET和IGBT的驅動(dòng)電路時(shí)，應考慮以下幾個(gè)因素：詳細閱讀>>

近年來(lái)，功率MOSFET廣泛地應用于電源、計算機及外設（軟、硬盤(pán)驅動(dòng)器、打印機、掃描器等）、消費類(lèi)電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車(chē)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。