精品国产肉丝袜久久_功率MOSFET案例解析（三）

干貨

功率MOS場(chǎng)效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著(zhù)氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體（S）的場(chǎng)效應晶體管。

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)

RF 功率 MOSFET的最大應用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一狀況。和硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET相比較，硅基LDMOSFET有失真小、線(xiàn)性度好、成本低的優(yōu)點(diǎn)，成為目前RF 功率 MOSFET的主流技術(shù)。詳細閱讀>>

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計算應用的高功耗問(wèn)題

對于主板設計師來(lái)說(shuō)，要設計處理器電壓調節模塊(VRM)來(lái)滿(mǎn)足計算機處理器永無(wú)止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續追隨摩爾(Moore)定律。詳細閱讀>>

英飛凌聯(lián)手Schweizer開(kāi)發(fā)出新技術(shù)芯片嵌入式功率MOSFET

英飛凌科技股份公司聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。它將顯著(zhù)提升48 V系統的性能，同時(shí)降低它們的復雜度。大陸集團動(dòng)力總成事業(yè)群將是首家采用這項技術(shù)的企業(yè)。詳細閱讀>>

Vishay推出汽車(chē)級p溝道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出新款30V和40V汽車(chē)級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線(xiàn)結構PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過(guò)AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節省PCB空間并降低成本，同時(shí)導通電阻低于任何鷗翼引線(xiàn)結構5mm x 6mm封裝MOSFET。詳細閱讀>>

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性

通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現自動(dòng)的均流達到平衡。同樣對于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。詳細閱讀>>

12個(gè)大功率MOSFET基于逆變焊機的應用與評測

逆變焊機的電路結構,一般是采用整流--逆變--再整流的過(guò)程,即交流--直流--交流.由于逆變過(guò)程中工作頻率高,因此控制過(guò)程的動(dòng)態(tài)特性統計局到提高,焊機的體積小,重量輕。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

功率MOSFET驅動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護與控制

一支白熾燈泡中鎢絲的電阻可隨著(zhù)溫度的變化產(chǎn)生超過(guò) 1:10 比率的變化。為了防止元件過(guò)熱，以及長(cháng)時(shí)間使用而造成的元件性能下降，一款具有可編程短路和過(guò)電流調節的電子開(kāi)關(guān)就顯得極為有用。一旦檢測到有過(guò)電流情況發(fā)生，標準及自恢復 (re-settable) 保險絲就會(huì )中斷負載電源，并且可能會(huì )用一個(gè)長(cháng)短不定的時(shí)間來(lái)進(jìn)行復位。與此不同的是，可以對一個(gè)電子開(kāi)關(guān)進(jìn)行編程來(lái)更具預見(jiàn)性地做出反應。詳細閱讀>>

精確測量功率MOSFET的導通電阻

電阻值的測量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線(xiàn)，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙?lèi)似的方法來(lái)測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使用的公式不同。在這些情況下，必須考慮探針間距和樣本厚度。僅僅運用Kelvin法本身無(wú)法保證精度。如果布局和連接數發(fā)生變化，就很難精確地預測非均勻幾何形狀的電阻。詳細閱讀>>

各種開(kāi)關(guān)電源功率MOSFET損壞的原因和形態(tài)

工程師們將損壞的功率MOSFET送到半導體原廠(chǎng)做失效分析后，得到的結論通常是過(guò)電性應力EOS，卻無(wú)法判斷是什么原因導致MOSFET的損壞。功率MOSFET損壞有哪些原因和形態(tài)？一牛人拍下了功率MOSFET不同損壞形態(tài)的失效分析圖片，結合功率MOSFET管的工作特性，系統的分析開(kāi)關(guān)電源功率MOSFET各種損壞模式，還給出了測試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖哦。詳細閱讀>>

近年來(lái)，功率MOSFET廣泛地應用于電源、計算機及外設（軟、硬盤(pán)驅動(dòng)器、打印機、掃描器等）、消費類(lèi)電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車(chē)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。