我們知道，薄膜電容以其優(yōu)越的電性能在高壓大功率電力電子設備中得以廣泛的應用，特別在DC-LINK這個(gè)應用場(chǎng)合，薄膜電容與電解電容相比較具有高紋波電流承受能力、耐高壓、低ESR和ESL、長(cháng)壽命、干式防爆、無(wú)極性和高頻特性好等優(yōu)越的電氣性能，在高壓大功率電力電子設備中DC-LINK應用薄膜電容替代電解電容是一種趨勢。
本文小編將從薄膜電容與電解電容的性能比較、薄膜電容和電解電容作一分析比較、薄膜電容的發(fā)展趨勢、DC-LINK電容在電力電子設備中的功能、DC-LINK電容在高壓變頻器中的應用方案介紹六方面針對EACO DC-LINK電容座介紹。詳細閱讀>>
干貨
電解電容器通常是由金屬箔（鋁/鉭）作為正電極，金屬箔的絕緣氧化層（氧化鋁/鉭五氧化物）作為電介質(zhì)，電解電容器以其正電極的不同分為鋁電解電容器和鉭電解電容器。鋁電解電容器的負電極由浸過(guò)電解質(zhì)液（液態(tài)電解質(zhì)）的薄紙/薄膜或電解質(zhì)聚合物構成；鉭電解電容器的負電極通常采用二氧化錳。由于均以電解質(zhì)作為負電極（注意和電介質(zhì)區分），電解電容器因而得名。
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電解電容作為整流電路中的一個(gè)重要環(huán)節，由于其具有充放電特性，使整流后的脈動(dòng)直流電壓變成穩定的直流電壓。而且又可以防止信號的低頻分量損失。所以是十分重要的。今天特意找來(lái)資料，向小伙伴們分享！快來(lái)看看吧！詳細閱讀>>
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無(wú)電解電容線(xiàn)性恒流源的得失有哪些呢？這里將緊接著(zhù)上次的《茅于海：全面剖析無(wú)電解電容線(xiàn)性恒流源的利弊【上】》繼續為大家全面剖析無(wú)電解電容線(xiàn)性恒流源的利弊。詳細閱讀>>
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在設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，選型電解電容時(shí)其中紋波電流是一個(gè)很重要的指標，既要經(jīng)過(guò)理論計算也要經(jīng)過(guò)實(shí)際測量來(lái)保證電解電容的安全工作！詳細閱讀>>
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通俗來(lái)說(shuō)，凡是把恒流驅動(dòng)源放到LED鋁基板上去就成為光引擎。目前市面上幾乎所有的LED光引擎都是采用無(wú)電解電容的方案，這種方案不僅效率低，增加燈板的熱量，降低LED使用壽命，而且還存在有LED利用率低下等諸多缺點(diǎn)。因此如何才能使LED光引擎成為現實(shí)的關(guān)鍵技術(shù)？請看專(zhuān)家詳細講解。詳細閱讀>>
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常常聽(tīng)說(shuō)現在LED燈具之所以壽命短主要是電源的壽命短，而電源之所以壽命短是因為電解電容壽命短。這些說(shuō)法也有一定道理。因為市面上充斥著(zhù)大量的短壽命低劣的電解電容，再加上現在都在拼價(jià)錢(qián)，所以一些廠(chǎng)家不顧質(zhì)量而去采用這些低劣的短壽命電解電容，結果就得出了上述結論。詳細閱讀>>
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在嵌入式系統需要可靠供電的電信、工業(yè)和汽車(chē)應用中，數據丟失是一個(gè)關(guān)切的問(wèn)題。供電的突然中斷會(huì )在硬盤(pán)和閃存器執行讀寫(xiě)操作時(shí)損壞數據。我們常常使用電池、電容器和超級電容器來(lái)存儲足夠的能量，以在供電中斷期間為關(guān)鍵的負載提供短期電源支持。詳細閱讀>>
經(jīng)典案例
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LED是一種直流器件，最好是采用直流供電。而電解電容也就是能夠利用它的儲能效應來(lái)把半個(gè)正弦波變成接近直流的最好手段。只要用上電解電容，那么以上的問(wèn)題就都不存在。至于功率因數本來(lái)就不是什么問(wèn)題。這里茅于海專(zhuān)家為大家全面剖析無(wú)電解電容線(xiàn)性恒流源的利弊。詳細閱讀>>
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本文針對LED驅動(dòng)電路中存在的電解電容縮減壽命的不足之處。提出一款無(wú)需電解電容的LED驅動(dòng)電路設計方案。本次設計采用MIP553內置PFC可調光LED驅動(dòng)電路的芯片，與外部非隔離底邊斬波電路合成作為基本的電路結構，輸出穩定的電流用以滿(mǎn)足LED工作的需要。詳細閱讀>>
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本文簡(jiǎn)單介紹無(wú)電解電容對于延長(cháng)LED燈壽命的意義，同時(shí)簡(jiǎn)單介紹一種全新的閉環(huán)電流控制策略，詳細介紹這種控制策略如何突破性提高LED輸出電流精度，從開(kāi)環(huán)到閉環(huán)是其本質(zhì)的突破?；谶@種閉環(huán)策略，提供了一種無(wú)電解電容3W球泡燈LED驅動(dòng)方案，并提供了實(shí)驗數據...詳細閱讀>>
電解電容器廣泛應用于家用電器和各種電子產(chǎn)品中，其容量范圍較大，一般為1~33000μF，額定工作電壓范圍為6.3~700V。其缺點(diǎn)是介質(zhì)損耗、容量誤差較大（最大允許偏差為+100%、-20%），耐高溫性較差，存放時(shí)間長(cháng)容易失效。
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