91爱拍原创国产视频下载_可控硅(晶閘管)的檢測方法

干貨

晶閘管（thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又可稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第一個(gè)晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是pnpn四層半導體結構，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為"v"、"vt"表示

如何將快速晶閘管KK400和KK1000應用于某加速器電源系統中

脈沖功率技術(shù)是一種能量密度"壓縮"技術(shù),它通過(guò)開(kāi)關(guān)的瞬時(shí)導通把較長(cháng)時(shí)間內儲存的能量在很短的時(shí)間(μs或ns量級)內釋放出來(lái),形成幅度達數十kA甚至數百kA的強電流脈沖。詳細閱讀>>

雙向晶閘管的過(guò)零檢測電路該如何設計？

雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱(chēng)雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)?wèn)題，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。詳細閱讀>>

安森美晶閘管浪涌保護器件

晶閘管的過(guò)壓保護設備是基于一對雙極性晶體管，這一對雙極性晶體管是由四層不同摻雜的N，P極組成，如圖1所示。N型摻雜的N1，P型摻雜的P1，和N型摻雜的N2分別構成NPN晶體管的發(fā)射極，基極和收集極，而P型摻雜的P2，N型摻雜的N2，和P型摻雜的P1分別構成了PNP晶體管的發(fā)射極，基極，和收集極。詳細閱讀>>

晶閘管直流穩壓器的過(guò)流和短路保護

盡管功率場(chǎng)效應VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮,且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據重要位置,晶閘管(可控硅) 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性,仍有著(zhù)穩固的陣地,受到用戶(hù)的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執行等多個(gè)環(huán)節的情況下,將單結晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器,就可實(shí)現晶閘管直流穩壓器的過(guò)流及短路保護,簡(jiǎn)化了電路結構...詳細閱讀>>

晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的特點(diǎn)與應用

無(wú)功補償是電力系統運行的基本要求。為了在電力系統運行中進(jìn)行無(wú)功平衡，必須對各種電力負荷所需的無(wú)功功率進(jìn)行補償。無(wú)功補償的方法有調相機補償和電容器組補償等，其中最為有效和易于實(shí)施的是在靠近負荷點(diǎn)的地方進(jìn)行就地無(wú)功補償。由于無(wú)功補償掛接在電網(wǎng)上主要是通過(guò)自動(dòng)投入和切除電力電容器來(lái)達到補償效果，因此，控制電容器投切的開(kāi)關(guān)元件性能對整個(gè)裝置的質(zhì)量和穩定性起著(zhù)非常關(guān)鍵的作用。目前，國內的無(wú)功補償產(chǎn)品...詳細閱讀>>

靜電感應晶閘管在電源電路中的應用研究

本文將驅動(dòng)電路及SITH器件一起擴展成實(shí)際的開(kāi)關(guān)電源應用電路，經(jīng)測試，得到了比較先進(jìn)的性能指標。這樣，對SITH器件的應用研究就更加全面，使得對它的推廣應用打下扎實(shí)的基礎。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

如何用晶閘管交流電子開(kāi)關(guān)解決電鐵諧波問(wèn)題

電氣化鐵路（以下簡(jiǎn)稱(chēng)電鐵）的諧波問(wèn)題是一個(gè)關(guān)系到公用電網(wǎng)電能質(zhì)量和電鐵順利建設的重大問(wèn)題, 我國從80 年代處就開(kāi)始致力研究、解決這一問(wèn)題。串聯(lián)補償裝置可以在一定程度上解決這一問(wèn)題, 而且由于其技術(shù)難度低、投資小、易于實(shí)現, 因而在單線(xiàn)電鐵的復線(xiàn)改造工程中顯示出了極大的優(yōu)越性。詳細閱讀>>

晶閘管在高壓軟起動(dòng)中的選型及應用

隨著(zhù)電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，晶閘管軟起動(dòng)裝置應運而生。三相異步電動(dòng)機的起停技術(shù)發(fā)生了劃時(shí)代的變化。晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品問(wèn)世不過(guò)30年左右的時(shí)間，而其主要性能卻大大優(yōu)于磁控軟起動(dòng)、液阻軟起動(dòng)等傳統軟起動(dòng)方式。它的體積小，結構緊湊，幾乎免維護，功能齊全，起動(dòng)重復性好，保護周全，目前已成為軟起動(dòng)領(lǐng)域中的佼佼者。詳細閱讀>>

智能晶閘管在電氣控制中的應用

晶閘管自1957年問(wèn)世以來(lái)，隨著(zhù)半導體技術(shù)及其應用技術(shù)的不斷發(fā)展，使其在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用。但是，過(guò)去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復雜、體積大，安裝調試麻煩，可靠性也較差。晶閘管智能模塊ITPM的出現，從根本上解決了上述難題...詳細閱讀>>

晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。