一级特大黄片播放视频_高保真模擬開(kāi)關(guān)，敲開(kāi)美妙音頻的大門(mén)

干貨

模擬開(kāi)關(guān)通常用于音頻系統中，以切換低電平輸入或調整音頻濾波器特性。選擇合適的模擬開(kāi)關(guān)有助于在設計人員的成本預算范圍內優(yōu)化系統的總諧波失真（THD）。

模擬開(kāi)關(guān)基礎及選型

模擬開(kāi)關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實(shí)現控制信號通路的開(kāi)關(guān)，主要用來(lái)完成信號鏈路連接或斷開(kāi)的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(cháng)等特點(diǎn)，在各種自動(dòng)控制系統和電子數碼產(chǎn)品中得到了廣泛應用。詳細閱讀>>

如何評測模擬開(kāi)關(guān)？

目前我手邊正在進(jìn)行的項目是打造一款機載軍事服務(wù)對講機，它具有許多不同的信號路徑和隔離要求——簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，該設備與其他任何東西的隔離度都必須優(yōu)于100dB。由于涉及信號切換操作，因此當其信號路徑應該關(guān)斷時(shí)，我們就需要表征開(kāi)關(guān)隔離特性。詳細閱讀>>

Nexperia推出新一代低壓模擬開(kāi)關(guān)

全球基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全新的專(zhuān)用于監測和保護1.8 V電子系統的4通道和8通道模擬開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。該系列多路復用器包含適用于汽車(chē)應用的AEC-Q100認證型號，以及適用于更廣泛的消費類(lèi)和工業(yè)應用的標準版本，例如用于傳感器監測與診斷、企業(yè)計算以及家用電器等場(chǎng)景。詳細閱讀>>

最大限度地減少音頻系統中模擬開(kāi)關(guān)的總諧波失真

模擬開(kāi)關(guān)通常用于音頻系統中，以切換低電平輸入或調整音頻濾波器特性。選擇合適的模擬開(kāi)關(guān)有助于在設計人員的成本預算范圍內優(yōu)化系統的總諧波失真（THD）。詳細閱讀>>

選型絕招：教你選擇"合適"的CMOS模擬開(kāi)關(guān)

如今集成式模擬開(kāi)關(guān)提供了更好的開(kāi)關(guān)特性、更低及更高的電源電壓，以及應用相關(guān)的設計。無(wú)論是性能指標還是特殊功能都可提供多種選擇，這使得CMOS模擬開(kāi)關(guān)的選擇困難重重，本文將為你介紹當今可供使用的多種模擬開(kāi)關(guān)的基礎知識，堪稱(chēng)設計指南，讓有經(jīng)驗的產(chǎn)品設計人員帶你挑選到最合適的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。詳細閱讀>>

實(shí)用技巧分享：為特定的模擬開(kāi)關(guān)構建宏模型

如果我的模擬設計中包含開(kāi)關(guān)和多路復用器，那么還能改進(jìn)開(kāi)關(guān)/多路復用器LTspice?模型嗎？當然能，要生成自己的模型并不困難。本文將以工程師角度為您詳細介紹如何為特定的模擬開(kāi)關(guān)構建不錯的宏模型，以及如何獲取參數，為實(shí)現物理器件的多個(gè)不同的半導體工藝提供支持。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

用過(guò)壓故障保護模擬開(kāi)關(guān)代替分立保護器件

設計具有魯棒性的電子電路較為困難，通常會(huì )導致具有大量分立保護器件的設計的相關(guān)成本增加、時(shí)間延長(cháng)、空間擴大。本文將討論故障保護開(kāi)關(guān)架構，及其與傳統分立保護解決方案相比的性能優(yōu)勢和其他優(yōu)點(diǎn)。詳細閱讀>>

采用SPI接口的模擬開(kāi)關(guān)提高通道密度

設計一個(gè)要求高通道密度的系統時(shí)，例如在測試儀器儀表中，電路板上通常需要包括大量開(kāi)關(guān)。當使用并行接口控制的開(kāi)關(guān)時(shí)，控制開(kāi)關(guān)所需的邏輯線(xiàn)路以及用于生成GPIO控制信號的串行轉并行轉換器會(huì )占用很大比例的板空間。詳細閱讀>>

利用模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現555自激振蕩器的脈沖轉換

本設計實(shí)例描述一種新方法，用一只基于555定時(shí)器的自激振蕩器產(chǎn)生一個(gè)占空比可變波形。該電路有寬的調制范圍，可在很寬的占空比值范圍內作高度線(xiàn)性化控制，出色的線(xiàn)性使它適合基于 PWM（脈沖寬度調制）的控制應用。詳細閱讀>>

我們已經(jīng)了解了如何為特定的模擬開(kāi)關(guān)構建不錯的宏模型以及如何獲取參數，為實(shí)現物理器件的多個(gè)不同的半導體工藝提供支持，得出的宏模型具有一些缺陷，例如導通電阻及其差異、與電源和信號電平呈函數關(guān)系的電荷注入、寄生電容和其在電壓范圍內的變化差異、邏輯接口延遲和泄漏等。我們希望宏模型對于模擬開(kāi)關(guān)的實(shí)際性能仿真會(huì )有所幫助。