【導讀】前段時(shí)間被問(wèn)到在高速電路中，到底介質(zhì)損耗大還是導體損耗大，這個(gè)問(wèn)題比較有意思，這里涉及到了兩個(gè)比較概念，一個(gè)是高速電路，一個(gè)是損耗。
以前有介紹過(guò)，高速電路是一個(gè)比較泛的概念，有的人認為幾十MHz的電路就叫高速電路，有的認為電路傳遞信號的上升時(shí)間是傳輸線(xiàn)傳輸延時(shí)的1/4（1/6）的電路叫高速電路，還有的認為速率達到GHz以上的電路才叫高速電路。
而損耗是指能量的衰減。那在高速電路中能量衰減的形式比較多，常見(jiàn)的就是標題上所說(shuō)的介質(zhì)損耗和導體損耗，還包括大家容易忽略的輻射損耗，當然，能量是守恒的，也可能還有其它類(lèi)型的損耗存在。
還是回到本文要介紹的介質(zhì)損耗和導體損耗這個(gè)問(wèn)題上來(lái)。介質(zhì)損耗指的是指介質(zhì)材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。這主要與PCB介質(zhì)的損耗因子有關(guān)。導體損耗是指導體不理想，存在直流電阻，在電流通過(guò)時(shí)發(fā)熱而引起的損耗，這主要與PCB導體的趨膚效應、粗糙度和導電率（電阻率）有關(guān)系。
那到底哪種損耗大呢？可以通過(guò)一個(gè)電路來(lái)研究下現象（聲明：本實(shí)驗并不是特別嚴謹，僅限于解釋這個(gè)問(wèn)題現象），電路結構如下圖所示：
注：綠色圈中的是介質(zhì)損耗相關(guān)的參數，紅色圈中是導體損耗相關(guān)的參數（注：傳輸線(xiàn)的物理結構保持一致，他們其實(shí)都與損耗有關(guān)系）。
當只考慮介質(zhì)損耗時(shí),Cond=5.8e70,Rough=0 um,TanD=0.02；當只考慮導體損耗時(shí),Cond=5.8e7,Rough=2 um,TanD=0。仿真結果如下：
所以從上面的仿真對比結果中可以看到，介質(zhì)損耗和導體損耗在不同的頻率段的時(shí)候，其貢獻的大小不一樣。因為影響介質(zhì)損耗的損耗因子就隨著(zhù)頻率的變化而變化，如下圖所示：
同樣，趨膚效應的影響也隨著(zhù)頻率的變化而變化，頻率越高，趨膚深度也越大。
綜上所述，在高速電路中到底是介質(zhì)損耗大還是導體損耗大這個(gè)問(wèn)題無(wú)法一概而論，需要根據實(shí)際情況而定。
本文轉載自信號完整性。
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