－關(guān)于SiC MOSFET的SCT3xxx xR系列，除了導通電阻很低，還通過(guò)采用4引腳封裝使開(kāi)關(guān)損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。

 

－首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。

 

首先，采用4引腳封裝是為了改善SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。包括SiC MOSFET在內的電源開(kāi)關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開(kāi)關(guān)元件廣泛應用于各種電源應用和電源線(xiàn)路中。必須盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)元件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來(lái)發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個(gè)引腳之外，另外設置了驅動(dòng)器源極引腳。此次的SCT3xxx xR系列，旨在通過(guò)采用最新的溝槽柵極結構，實(shí)現更低的導通電阻和傳導損耗；通過(guò)采用4引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出SiC本身具有的高速開(kāi)關(guān)性能，并降低開(kāi)關(guān)損耗。

 

－那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現的幾個(gè)要點(diǎn)。首先，什么是“驅動(dòng)器源極引腳”？

 

驅動(dòng)器源極引腳是應用了開(kāi)爾文連接原理的源極引腳。開(kāi)爾文連接是通過(guò)電阻測量中的4個(gè)引腳或四線(xiàn)檢測方式，在電流路徑基礎上加上兩條測量電壓的線(xiàn)路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時(shí)不可忽略的線(xiàn)纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過(guò)使連接柵極驅動(dòng)電路返回線(xiàn)的源極電壓引腳與流過(guò)大電流的電源源極引腳獨立，來(lái)消除ID對柵極驅動(dòng)電路的影響。

 

－也就是說(shuō)基本的思路就是開(kāi)爾文連接對吧。

 

是??！稍后會(huì )給您看實(shí)際的封裝，首先我來(lái)介紹一下驅動(dòng)器源極引腳對降低開(kāi)關(guān)損耗的貢獻。

 

MOSFET通常為電壓驅動(dòng)，通過(guò)控制柵極引腳的電壓來(lái)導通/關(guān)斷MOSFET。Figure 1為以往的3引腳封裝（TO-247N）MOSFET的常規柵極驅動(dòng)電路示例。紅色虛線(xiàn)表示MOSFET封裝內部和外部的邊界。

 

通常，在驅動(dòng)電源VG和MOSFET的柵極引腳之間，會(huì )插入用來(lái)控制開(kāi)關(guān)速度的外置柵極電阻R_{G_EXT}，而且還包含印刷電路板的布線(xiàn)電感L_TRACE。另外，在源極引腳和內部的MOSFET芯片之間，包含封裝電感L_SOURCE。

 

在寄生分量中，柵極引腳的封裝電感包含在L_TRACE中，而漏極引腳的封裝電感L_DRAIN不包含在柵極驅動(dòng)電路中，因此在這里省略。

 

 

－這就涉及到MOSFET驅動(dòng)中基本的柵極電阻和寄生分量了吧。

 

是的。但是，如果是普通IGBT的開(kāi)關(guān)速度的話(huà)，可能不會(huì )造成很大影響，但在SiC MOSFET的特點(diǎn)之一“高速開(kāi)關(guān)”條件下，開(kāi)關(guān)的漏極-源極間電流ID的轉換和L_SOURCE引起的電動(dòng)勢VL_SOURCE就成了問(wèn)題。

 

我們用Figure 2來(lái)更具體一點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。Figure 2表示在開(kāi)關(guān)工作中的電路內部電壓情況。

 

當MOSFET被施加VG并導通后，ID急劇增加，L_SOURCE產(chǎn)生圖中的電動(dòng)勢VL_SOURCE(Ⅰ)。

 

由于電流IG流入柵極引腳，因此R_{G_EXT}產(chǎn)生電壓降V_{RG_EXT}(Ⅰ)。

 

 

雖然柵極線(xiàn)路的L_TRACE也以相同的機制產(chǎn)生電動(dòng)勢，但非常小，影響很小，因此在此省略。

 

這些電壓包含在導通時(shí)的驅動(dòng)電路網(wǎng)中，因此，實(shí)際上施加給內部芯片并使MOSFET導通的電壓V_{GS_INT}減少了。V_{GS_INT}的減少可以通過(guò)公式（1）來(lái)表示。

 

 

－也就是說(shuō)，實(shí)際上施加給內部芯片的V_{GS_INT}，是從柵極施加電壓VG減去外置柵極電阻的電壓降和源極引腳寄生電感的電動(dòng)勢之后的電壓對吧。

 

是的。當V_{GS_INT}減少后，MOSFET導通的速度（即開(kāi)關(guān)）就會(huì )變慢。

 

關(guān)斷時(shí)也同樣適用公式（1）。但是，由于IG和dID/dt變?yōu)樨摂?，因此R_{G_EXT}和L_SOURCE產(chǎn)生標記為(Ⅱ)的電壓上升，V_{GS_INT}反而增加。增加后使關(guān)斷速度下降。

 

－關(guān)于您提到R_{G_EXT}和L_SOURCE會(huì )導致開(kāi)關(guān)速度下降，R_{G_EXT}是外置的柵極電阻，因此只要減小電阻值就可以減少影響了吧？

 

如您所述，通過(guò)減小R_{G_EXT}是可以提高開(kāi)關(guān)速度的。R_{G_EXT}本來(lái)是用來(lái)調整開(kāi)關(guān)速度的，在這里應該理解如果R_{G_EXT}大于所需的值，就會(huì )不必要地降低開(kāi)關(guān)速度，而且開(kāi)關(guān)損耗會(huì )增加。

 

另外，L_SOURCE是封裝內部的寄生分量，因此無(wú)法從外部進(jìn)行調整。這是非常重要的一點(diǎn)。一般來(lái)講，電源開(kāi)關(guān)元器件的L_SOURCE為幾nH到十幾nH，加上當dID/dt達到幾A/ns時(shí)可能會(huì )產(chǎn)生10V以上的電動(dòng)勢VL_SOURCE，這些將對開(kāi)關(guān)工作產(chǎn)生很大的影響。

 

－前面看到數學(xué)公式時(shí)我還有些疑問(wèn)，現在基本理解了。

 

您可能已經(jīng)猜到，要想消除這種VL_SOURCE的影響，就需要改變封裝的結構。我們因此而采用了電源源極和驅動(dòng)器用源極分開(kāi)的4引腳封裝。

 

抱歉引言有些長(cháng)。下面是4引腳封裝的示例。目前ROHM已經(jīng)推出的產(chǎn)品有（a）TO-247-4L和（b）TO-263-7L。

 

 

 

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