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車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議

發(fā)布時(shí)間:2020-10-14 責任編輯:wenwei

【導讀】近年來(lái),電動(dòng)汽車(chē)的數量在全球范圍內不斷增長(cháng),如純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)或插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)。此外,還有許多因素引起了人們的懷疑,比如說(shuō),目前每個(gè)終端用戶(hù)的碳排放量仍然很低(除此之外,還有一些因素可以降低終端用戶(hù)的碳排放量)。毫無(wú)疑問(wèn),電動(dòng)汽車(chē)的吸引力取決于電池。這些車(chē)輛的普及和適應能力,以及這一細分市場(chǎng)的增長(cháng)潛力,都取決于高可靠性和持久性的電池性能。電池性能和耐久性在很大程度上取決于充電技術(shù)和方法。在本文中,我們將更深入地研究車(chē)載充電系統的體系結構,并詳細介紹PFC和DC-DC拓撲中最流行的結構。
 
經(jīng)典升壓PFC
 
實(shí)現功率因數校正功能的最簡(jiǎn)單拓撲是使用簡(jiǎn)單的boost轉換器拓撲,如圖1所示。這種拓撲結構也被稱(chēng)為經(jīng)典PFC或經(jīng)典boost PFC。電路由高頻開(kāi)關(guān)和二極管、電感和交流輸入側的二極管橋式整流器組成。在直流輸出端,通常使用緩沖帽來(lái)穩定輸出電壓。實(shí)現高功率因數的最常見(jiàn)的工作模式是連續導通模式(CCM),它是通過(guò)開(kāi)關(guān)和二極管之間的電流源換流來(lái)實(shí)現的。這種拓撲提供了從交流輸入到直流輸出的單向功率流。
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖1:boost PFC的工作原理(為了更好地理解原理操作,建議在S1上加一個(gè)二極管,但省略了)
 
由于難換相,要求半導體能夠承受連續換流。因此,一個(gè)合理的選擇是使用合格的CoolSiC™ 肖特基二極管650 V Gen5器件,用于位置“D1”,而各種開(kāi)關(guān)適合作為功率因數校正級的電源開(kāi)關(guān)。例如,英飛凌的TRENCHSTOP™ AUTO 5 IGBT提供高速開(kāi)關(guān)功能,擊穿電壓為650 V。這些igbt可作為單個(gè)igbt或帶有集成反并聯(lián)Si或SiC二極管的igbt。如果選擇的器件是單個(gè)IGBT,我們建議在集電極和發(fā)射極節點(diǎn)之間使用一個(gè)小的反并聯(lián)PN二極管,以避免IGBT上出現負電壓尖峰。當目標是在簡(jiǎn)單的PFC拓撲中實(shí)現最高效率時(shí),我們建議使用MOSFET而不是IGBT。最新的汽車(chē)CoolMOS™ 一代,CoolMOS™ CFD7A,完美地配合了SiC二極管作為對應物的拓撲結構。這種MOSFET的優(yōu)點(diǎn)是在溝道中具有電阻行為,不受尾流的影響,并且比IGBT具有更低的開(kāi)關(guān)損耗。所有這些優(yōu)點(diǎn)轉化為更低的功率損耗,因此,更高的轉換效率。
 
在這種拓撲結構中也可以使用寬帶隙晶體管;但是,這不會(huì )帶來(lái)顯著(zhù)的好處,因為SiC和GaN晶體管由于拓撲的自然性能而不能被充分利用。
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖2:?jiǎn)蜗嘬?chē)載充電器功率因數校正級示例:a)集成SiC二極管的IGBT,b)帶外部保護二極管的單個(gè)IGBT,c)CoolMOS™ CFD7A(帶本征體二極管)
 
圖騰柱PFC
 
雙向車(chē)載充電器的常見(jiàn)拓撲結構是所謂的圖騰極PFC(圖3)。在此設置中,所有二極管都被有源功率開(kāi)關(guān)取代,以實(shí)現雙向功率流能力。使用有源開(kāi)關(guān)代替二極管的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是效率提高。盡管如此,這種修改也增加了復雜性,因為必須在電路中控制更多的開(kāi)關(guān)。
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖3:圖騰極PFC拓撲
 
圖騰極PFC由快速切換段(“S1”和“S2”)和慢速切換段(“S3”和“S4”)組成。“S1”和“S2”要求半導體能夠承受高頻下兩個(gè)有源開(kāi)關(guān)之間負載電流的硬換相。因此,“S1”和“S2”的最佳選擇是使用TRENCHSTOP™ H5 IGBT或CoolSiC™ MOSFETs。慢開(kāi)關(guān)段(“S3”和“S4”)中的開(kāi)關(guān)實(shí)現相位校正功能。因此,在交流輸入的過(guò)零點(diǎn)(零電壓開(kāi)關(guān))期間,它們會(huì )隨著(zhù)交流頻率接通和斷開(kāi)。
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖4:a)IGBT,b)SiC MOSFET,c)IGBT和CoolMOS的圖騰極PFC™ CFD7A(相位整流器)
 
實(shí)現圖騰極PFC的一種常見(jiàn)方法是在位置“S1”、“S2”、“S3”和“S4”使用IGBT開(kāi)關(guān)。英飛凌的高速TRENCHSTOP™  IGBT是車(chē)載充電器系統的最佳IGBT選擇。CoolMOS™ CFD7A建議用于慢開(kāi)關(guān)半橋(“S3”和“S4”),以進(jìn)一步提高效率。由于交流頻率下的軟開(kāi)關(guān)特性,將超級連接mosfet設計成相位整流橋是可能的。用四個(gè)CoolSiC實(shí)現硬開(kāi)關(guān)圖騰極PFC是可能的,因為CoolMOS™ MOSFET具有超低的反向恢復電荷。CoolSiC ™ mosfet的另一個(gè)優(yōu)勢是擊穿電壓為1200v,支持更高的直流鏈電壓(高于650v)。
 
移相全橋
 
一種常用的DC-DC拓撲是所謂的移相全橋(圖5),由DC-DC變換器初級側的全橋、諧振電感器、隔離變壓器和次級側的整流組成?;谶@種拓撲結構的最先進(jìn)的車(chē)載充電器使用基于硅或碳化硅的mosfet。由于緊湊型DC-DC變換器對開(kāi)關(guān)頻率的要求很高,IGBT不適合這種拓撲結構。
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖5:相移全橋拓撲結構,包括二次側的二極管
 
這種拓撲的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)是效率高,因為它可以在較寬的負載范圍內進(jìn)行軟交換。這意味著(zhù),儲存在mosfet寄生電容中的能量可以重新循環(huán),降低功率損耗,減少散熱,提高轉換效率。一次側的附加電感器(Lr)確保了mosfet的軟開(kāi)關(guān)。然而,由于這種拓撲結構的固有特性,不能在整個(gè)輸出范圍內實(shí)現所有mosfet的全ZVS。通常,不同mosfet的硬開(kāi)關(guān)發(fā)生在輕負載條件下(當諧振能量不足以維持ZVS時(shí))。這種硬開(kāi)關(guān)現象也是英飛凌推薦具有快速二極管特性的硅mosfet(如CoolMOS™ CFD7A)的原因或像CoolSiC™ MOSFET這樣的寬禁帶系列用于汽車(chē)應用,確保長(cháng)期可靠運行。
 
這種拓撲的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是與LLC變換器相比,控制工作量相對較低。功率流的調節是通過(guò)控制兩個(gè)半橋腿之間的相移來(lái)實(shí)現的,而不需要修改頻率或占空比。此外,PSFB拓撲能夠獲得比LLC變換器更大的轉換比。
 
二次側的任務(wù)是對一次側傳輸的能量進(jìn)行校正。有幾種方法可以實(shí)現這一點(diǎn)。一種方法是使用全橋整流(如圖5所示)或中心抽頭變壓器。對于這兩種變體,二極管或有源mosfet是最常見(jiàn)的選擇。
 
雙向移相全橋拓撲
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖6:雙向使用的移相全橋拓撲
 
如果DC-DC的二次側采用有源開(kāi)關(guān),并且采用適當的控制策略,則移相全橋拓撲也可以用于雙向車(chē)載充電器。圖6說(shuō)明了雙向PSFB的概念。如圖所示,不需要進(jìn)一步修改硬件組件來(lái)支持雙向功率流。
 
LLC拓撲
 
LLC拓撲是達到最高轉換效率的理想選擇。與PSFB相比,LLC拓撲允許實(shí)現更高的效率,從而在運行期間降低損耗,并實(shí)現更高的功率密度轉換器。車(chē)載充電器中使用的大多數LLC轉換器都是全橋LLC轉換器。一次側的全橋配置有助于減少通過(guò)功率開(kāi)關(guān)的電流,因為變壓器的一次側繞組驅動(dòng)的電壓是半橋LLC轉換器的兩倍。由于電壓加倍,在給定的變壓器尺寸下,可以傳輸雙倍的功率。盡管如此,這一原則適用于所有半橋/全橋變換器,而不是LLC變換器的獨特性,但由于將半橋LLC變換器用于低功率應用更為常見(jiàn),因此我們在這里重點(diǎn)討論這一點(diǎn)。
 
設計良好的LLC拓撲結構的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以在滿(mǎn)負荷范圍內實(shí)現零電壓開(kāi)關(guān)。然而,mosfet的硬開(kāi)關(guān)很容易在啟動(dòng)時(shí)發(fā)生,并且僅在某些關(guān)鍵條件下(即“電容模式”操作)。
 
除了優(yōu)點(diǎn)之外,LLC拓撲還有一個(gè)缺點(diǎn):功率流是通過(guò)可變頻率而不是通過(guò)脈寬調制控制信號的可變占空比來(lái)控制的。由于所需的頻率范圍,電磁干擾濾波器的設計可能變得更具挑戰性。此外,由于很難規定均流,LLC變換器并聯(lián)級的同步變得更加復雜。圖7顯示了車(chē)載充電器中使用的典型全橋LLC轉換器,其中轉換器的二次側也設計為全橋。
 
車(chē)載充電器的拓撲結構介紹和技術(shù)建議
圖7:?jiǎn)蜗蜻\行的全橋LLC變換器(二次側帶有源同步整流)
 
結論
 
電動(dòng)汽車(chē)的吸引力取決于電池。半導體技術(shù)的進(jìn)步需要實(shí)現更高的效率和最高的性能,使電動(dòng)汽車(chē)成為傳統交通工具的便捷和環(huán)保的替代品。為了滿(mǎn)足現代非車(chē)載充電器設計的要求,各種拓撲結構和技術(shù)在今天是可用的。所以,我們的任務(wù)是使它們完美匹配。
 
 
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