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MAX3622：Maxim網(wǎng)絡(luò )設備用超低抖動(dòng)兩路輸出時(shí)鐘發(fā)生器
Maxim推出超低抖動(dòng)、兩路輸出時(shí)鐘發(fā)生器MAX3622。器件采用低噪聲VCO和專(zhuān)有的PLL架構，從一個(gè)25MHz晶體諧振器產(chǎn)生2路0.14psRMS (典型值)的超低抖動(dòng)時(shí)鐘輸出。
2008-05-27
MAX3622 時(shí)鐘發(fā)生器
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線(xiàn)端口保護陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護陣列，旨在保護兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線(xiàn)不受瞬態(tài)電壓信號干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護陣列
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STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管）功率開(kāi)關(guān)，新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管
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STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管）功率開(kāi)關(guān)，新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復用三路DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為2.0Ω)、導通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠實(shí)現高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)
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TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內最高額定及飽和電流以及業(yè)內最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個(gè)連接器實(shí)現高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)
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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內提供先進(jìn)的保護功能、降低泄漏電流實(shí)現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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