【導讀】碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
一、前言
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
二、碳化硅產(chǎn)品特點(diǎn)
碳化硅(SiC)具有寬禁帶(Si的3倍)、高熱導率(Si的3.3倍)、高的臨界擊穿電場(chǎng)(Si的10倍)、高飽和電子遷移率(Si的2.5倍)以及高健合能等優(yōu)點(diǎn)，這就使得碳化硅材料可以很好地適用于高性能(高頻、高溫、高功率、抗輻射)電子器件。高的熱導率有利于大功率器件的熱耗散和高密度集成，高的載流子飽和遷移速率可以使之應用于高速開(kāi)關(guān)器件；高的臨界位移能使碳化硅器件的抗輻射性能優(yōu)于Si器件。
主要性能：
?極小的反向恢復電荷可降低開(kāi)關(guān)損耗；
?出色的熱管理可降低冷卻要求；
?Vce(sat)正溫度系數易并聯(lián)；
?低VF，高浪涌電流耐量；
?符合軍工民用考核標準：GJB 7400-2011，器件參數一致性較好;
三、碳化硅在光伏逆變器的應用
碳化硅(SiC)是一種非常適合電力應用的半導體，這主要歸功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍?；谔蓟璧陌雽w具有更高的熱導率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗；從而碳化硅(SiC)二極管已經(jīng)進(jìn)入迅速擴張的太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)，尤其是在歐洲已經(jīng)意識到了太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)，正在推動(dòng)商業(yè)和個(gè)人使用太陽(yáng)能，將太陽(yáng)光輻射能直接轉換為電能的一種新型發(fā)電系統，為了最大限度利用太陽(yáng)能，用碳化硅二極管的光伏逆變器更加具有較高的效率和可靠性。
四、光伏逆變器的拓撲線(xiàn)路
五、瑞森半導體碳化硅二極管產(chǎn)品推薦
（來(lái)源：RS瑞森半導體）
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