【導讀】下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結構是對的?幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì )講這個(gè)例子,可是始終有人搞不清楚。
下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結構是對的?幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì )講這個(gè)例子,可是始終有人搞不清楚。
常見(jiàn)的電流源偏置電路
在介紹gm/Id的集成電路設計方法時(shí),有一個(gè)實(shí)例就是設計一個(gè)簡(jiǎn)單的電流源偏置,關(guān)于電流源偏置的原理也在其中仔細推導。

上圖中的兩個(gè)電路結構是應聘模擬集成電路設計崗位時(shí)最常見(jiàn)的電路結構之一,經(jīng)常有面試官拿這個(gè)結構出一些問(wèn)題。
問(wèn)題很簡(jiǎn)單:假設所有MOS管都工作在飽和區,NMOS尺寸比例如圖中標注所示(K>1),那么上圖中哪個(gè)電路工作的更好,給出合理的理由?
有兩個(gè)關(guān)于該電路的推導,分別是輸出電流表達式與兩個(gè)NMOS跨導的比值,這兩個(gè)結論會(huì )在后面用到。

利用電流表達式,推導出
與
的跨導比值為:

對于初學(xué)者來(lái)說(shuō)乍一看覺(jué)得兩個(gè)電路貌似一樣,都是NMOS的
電壓差值通過(guò)電阻R產(chǎn)生電流,那么哪個(gè)才是正確的呢?
很多同學(xué)會(huì )在其它地方見(jiàn)到各種各樣的解釋?zhuān)罱K都告訴大家,右邊的電路才是可以穩定工作的。
無(wú)外乎兩種說(shuō)法,第一種說(shuō)法:圖(a)中是正反饋,圖(b)中是負反饋;第二種說(shuō)法:兩個(gè)圖中電路都是正反饋,不過(guò)圖(a)中反饋系數大于1,圖(b)中反饋系數小于1。
以上兩種說(shuō)法到底哪種是正確?回答這個(gè)是需要具體計算和推導的。
從電流角度理解該電路的反饋特性
從電流角度理解上面偏置電路的時(shí)候首先要有一個(gè)認識:對于偏置電路中尺寸比為K:1的
和
,
接成源極負反饋的形式時(shí),兩個(gè)NMOS的
比值為:

上圖中從紅色標記處斷開(kāi)環(huán)路,假設紅色標記處有一個(gè)電流擾動(dòng)
,那么流過(guò)
和
的電流為
,按照逆時(shí)針?lè )较蚍治觯?/div>
通過(guò)PMOS電流鏡,流過(guò)
和
的電流為
;
通過(guò)
和
的鏡像關(guān)系之后,流過(guò)
的電流現在為
;
經(jīng)過(guò)上面兩個(gè)過(guò)程,可見(jiàn)電流通過(guò)環(huán)路之后被放大了
倍,該電路是一個(gè)正反饋,如果
,那么該電路反饋系數大于1(顯然成立)。

上圖中從紅色標記處斷開(kāi)環(huán)路,假設紅色標記處有一個(gè)電流擾動(dòng)
,那么流過(guò)
和
的電流為
,按照順時(shí)針?lè )较蚍治觯?/div>
通過(guò)PMOS電流鏡,流過(guò)
和
的電流為
;
通過(guò)
和
的鏡像關(guān)系之后,流過(guò)
的電流現在為
;
經(jīng)過(guò)上面兩個(gè)過(guò)程,可見(jiàn)電流通過(guò)環(huán)路之后被縮小了
倍,該電路是一個(gè)正反饋,如果
,那么該電路反饋系數小于1(顯然成立)。
通過(guò)上面的兩個(gè)簡(jiǎn)單分析,可以得到結論:上面兩個(gè)圖中電路都是正反饋,不過(guò)圖(a)中反饋系數大于1,圖(b)中反饋系數小于1。
從電壓角度理解該電路的反饋特性
以上從電流角度的理解沒(méi)有詳細的推導,如果還不能說(shuō)服你,那么可以閱讀以下具體的環(huán)路增益推導過(guò)程,假設按照圖中標注斷開(kāi)環(huán)路,并加入小信號干擾,計算環(huán)路增益。

假設在
的柵極斷開(kāi)環(huán)路,并加入小信號電壓激勵,那么環(huán)路增益可以由以下兩部分構成:
第一部分:由
柵極到
柵極的共源極放大器增益:

第二部分:由
柵極到
柵極的共源極放大器增益:

所以上面電路的環(huán)路增益為:

可見(jiàn)該電路是一個(gè)正反饋,如果
,那么該電路反饋系數大于1(顯然成立),所以該電路無(wú)法穩定工作。

假設在
的柵極斷開(kāi)環(huán)路,并加入小信號電壓激勵,那么環(huán)路增益可以由以下兩部分構成:
第一部分:由
柵極到
柵極的共源極放大器增益:

第二部分:由
柵極到
柵極的共源極放大器增益:

所以上面電路的環(huán)路增益為:

可見(jiàn)該電路是一個(gè)正反饋,如果
,那么該電路反饋系數小于1(顯然成立),所以該電路可以穩定工作。
通過(guò)上面的環(huán)路增益求解,可以得到結論:上面兩個(gè)圖中電路都是正反饋,不過(guò)圖(a)中反饋系數大于1,圖(b)中反饋系數小于1,所以圖(a)電路無(wú)法穩定工作,圖(b)中電路可以穩定工作。
電路仿真驗證
下面通過(guò)兩個(gè)簡(jiǎn)單的電路仿真對比,驗證計算結果的正確性,為了利用之前的電路,這里采用PMOS結構電流源偏置電路。

分別采用stb仿真得到上面兩個(gè)電路的幅頻特性曲線(xiàn),分析環(huán)路的增益與反饋類(lèi)型,結合仿真結果判斷理論計算與仿真結果是否一致。

首先觀(guān)察正確電路的仿真結果,從環(huán)路相頻曲線(xiàn)可以看到,該電路是個(gè)正反饋電路,從增益曲線(xiàn)可以看到該電路環(huán)路增益小于1。

另一個(gè)電路的仿真結果如上所示,從環(huán)路相頻曲線(xiàn)可以看到,該電路是個(gè)正反饋電路,從增益曲線(xiàn)可以看到該電路環(huán)路增益大于1。
按照上面推導結果,結合原理圖中器件的尺寸比值,發(fā)現理論計算與仿真結果十分吻合,以上是關(guān)于電流源偏置電路的討論和結論。
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