【導讀】本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì )產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動(dòng)電路的導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì )產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路，LS開(kāi)關(guān)導通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來(lái)的各處的柵極電流（綠色線(xiàn)）。
ID的變化dID/dt所產(chǎn)生的電壓
ID的變化將會(huì )產(chǎn)生下述公式（1）所示的電壓。
ID的變化dID/dt所產(chǎn)生的電壓
這是由于存在于SiC MOSFET源極的寄生電感中流過(guò)ID而產(chǎn)生的電壓，是由電路圖中的(I)引起的。該電壓會(huì )使電流(I’)流過(guò)。
VDS的變化dVDS/dt所產(chǎn)生的電流
以HS為例，當SiC MOSFET關(guān)斷、VDS變化時(shí)，Gate-Drain寄生電容CGD中會(huì )流過(guò)電流ICGD。如電路圖所示，該電流分為Gate-Source寄生電容CGS側流過(guò)的電流ICGD1：(II)-1和柵極電路側流過(guò)的電流ICGD2：(II)-2。當VDS開(kāi)始變化時(shí)，柵極電路側的阻抗較大，因此大部分ICGD都在CGS側，此時(shí)的ICGD1如公式（2）所示。
VDS的變化dVDS/dt所產(chǎn)生的電流
從公式可以看出，當CGD較大時(shí)或CGD/CGS的比值變小時(shí)，ICGD1會(huì )增加。
dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，所以因它們而產(chǎn)生的電流和電壓的極性在導通（Turn-on）和關(guān)斷（Turn-off）時(shí)是不同的。在下一篇文章中將會(huì )進(jìn)一步詳細解說(shuō)。
（來(lái)源：Rohm）
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