【導讀】本文就單片機系統中的干擾問(wèn)題向讀者介紹了幾種目前常用的應用于單片機系統的干擾抑制元件,如去耦電容、抑制高頻電感等,以及使用時(shí)的注意事項。
去耦電容
每個(gè)集成電路的電源、地之間應配置一個(gè)去耦電容,它可以濾掉來(lái)自電源的高頻噪聲。作為儲能元件,它吸收或提供該集成電路內部三極管導通、截止引起的電流變化(di/dt),從而降低系統噪聲。要選高頻特性好的獨石電容或瓷片電容作去耦電容。每塊印制電路板電源引入的地方要安放一只大容量的儲能電容。由于電解電容的纏繞式結構,其分布電感較大,對濾除高頻干擾信號幾乎不起作用。使用時(shí)要與去耦電容成對使用。鉭電容則比電解電容效果更好。
抑制高頻的電感
用粗漆包線(xiàn)穿入軸向有幾個(gè)孔的鐵氧體芯,就構成了高頻扼制器件。將其串入電源線(xiàn)或地線(xiàn)中可阻止高頻信號從電源/地線(xiàn)引入。這種元件特別適用于隔開(kāi)一塊印制電路板上的模擬電路區、數字電路區、以及大功率驅動(dòng)區的供電。應該注意的是它必須放在該區儲能電容與電源之間而不能放在儲能電容與用電器件之間。
自恢復保險絲
這是用一種新型高分子聚合材料制成的器件,當電流低于其額定值時(shí),它的直流電阻只有零點(diǎn)幾歐。而電流大到一定程度,它的阻值迅速升高,引起發(fā)熱,而越熱電阻越大,從而阻斷電源電流。當溫度降下來(lái)以后能自動(dòng)恢復正常。這種器件可防止CMOS器件在遇到強沖擊型干擾時(shí)引起所謂“可控硅觸發(fā)”現象。這種現象指集成電路硅片的基體變得導通,從而引起電流增大,導致CMOS集成電路發(fā)熱乃至燒毀。
圖題:自恢復保險絲
防雷擊器件
室外使用的單片機系統或電源線(xiàn)、信號線(xiàn)從室外架空引入室內的,要考慮系統的防雷擊問(wèn)題。常用的防雷擊器件有:氣體放電管,TVS(Transient Voltage Supervention)等,氣體放電管是當電源電壓大于某一值時(shí),通常為數十伏或數百伏,氣體擊穿放電,將電源線(xiàn)上強沖擊脈沖導入大地,TVS可以看成兩個(gè)并聯(lián)且方向相反的齊納二極管,當電兩端電壓高于某一額定值時(shí)導通。其特點(diǎn)是可以瞬態(tài)通過(guò)數百乃至上千安培的電流。這類(lèi)元器件要和抗共模和抗差模干擾的電感配合使用以提高抗干擾效果。