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IGBT驅動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種復合全控型電壓驅動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅動(dòng)電路 過(guò)流檢測
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DC/DC拓撲的分類(lèi)和選擇標準
為了提高電力電子產(chǎn)品設計者選擇DC/DC拓撲的準確性和快速性，分析了現有市場(chǎng)上主流的通信、電腦用電源中DC/DC的應用特點(diǎn)，從電氣規格出發(fā)提出了電力電子產(chǎn)品設計中DC/DC變換器的電路拓撲選擇的四大標準。 輸入電壓高低決定是否采用軟開(kāi)關(guān)；輸出電壓高低決定是否采用同步整流；輸入輸出電壓變換范圍...
2008-10-11
直流直流 經(jīng)典拓撲 選擇標準 DC/DC ZVS
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三端雙向晶閘管的功耗計算和Tjmax預測
三端雙向晶閘管在工作時(shí)消耗大量電能，因而其散熱設計非常重要。散熱設計主要涉及到功率、熱阻和溫度升高等幾個(gè)計算階段。本文介紹的是設計計算以及設計案例，其數據主要來(lái)自實(shí)際應用和三端雙向晶閘管的數據表。
2008-10-11
三端雙向晶閘管 vo rs Tjmax
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韓國技術(shù)團隊訪(fǎng)問(wèn)南方芯源
韓國楓葉半導體拜訪(fǎng)南方芯源總經(jīng)理羅義先生，此次來(lái)訪(fǎng)是希望與南方芯源合作，共同開(kāi)拓中國MOSFET市場(chǎng)。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導體 南方芯源
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低頻光纖光柵加速度傳感器
本文設計了低頻光纖光柵加速度傳感器通過(guò)對其力學(xué)模型分析，建立了光纖光柵加速度傳感器的數學(xué)模型，得到了傳感器的加速度和光纖光柵波長(cháng)變化間的關(guān)系．通過(guò)振動(dòng)實(shí)驗，得到了在不同阻尼下光纖光柵加速度計的幅頻特性。
2008-10-10
光纖光柵 低頻 加速度傳感器
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傳感器中的電壓/電流、電壓/頻率變換的實(shí)現
在工業(yè)控制領(lǐng)域，檢測傳感器件起著(zhù)越來(lái)越重要的作用，各種先進(jìn)的傳感器正在大量應用。本文介紹的兩個(gè)轉換電路所需費用低，且結構簡(jiǎn)單，調試方便，非常易于實(shí)現，并且經(jīng)過(guò)礦用監測設備多次的實(shí)際現場(chǎng)應用，其對于國內一般的煤礦安全監測系統的接入信號的要求都能夠很好地滿(mǎn)足應用。
2008-10-10
傳感器 電壓/電流 電壓/頻率
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傳感器信號調理電路
傳感器信號不能直接轉換為數字數據，在變換為數字數據之前必須進(jìn)行調理。本文介紹了傳感器信號調理電路的組成、性能、工作原理以及傳感器和放大器匹配電路等。
2008-10-10
信號調理 傳感器 放大器
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提高DC/DC轉換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉換器的電磁兼容性，基于混沌現象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉換器控制策略。首先推導了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴展了電感電流的功率譜，降低了在開(kāi)關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。...
2008-10-09
DC/DC轉換器 電力電子 混沌 電磁兼容
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估算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗
開(kāi)關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現象 滲透深度
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