SiC覆蓋功率器件各系產(chǎn)品

隨著(zhù)企業(yè)加大開(kāi)發(fā)力度，SiC大體覆蓋功率器件各主要產(chǎn)品系列。
采用SiC材料是功率器件行業(yè)主要技術(shù)趨勢之一。以前功率器件基本以Si為材料，在人們對機電產(chǎn)品的節能環(huán)保要求不斷提高的情況下，Si材料的節能能力已經(jīng)接近極限，越來(lái)越多企業(yè)開(kāi)始把注意力放到SiC材料的開(kāi)發(fā)上。

“就一般的功率MOSFET的導通電阻而言，存在著(zhù)由Si材料性質(zhì)決定的性能極限。降低導通電阻的余地已經(jīng)所剩無(wú)幾。為了從使用Si的功率半導體手中接過(guò)接力棒，新一代功率器件的開(kāi)發(fā)正在展開(kāi)。”清華-羅姆聯(lián)合研究中心研究員吳海雷告訴記者。三菱電機董事技術(shù)總監Gourab Majumdar博士也指出，SiC功率器件有四大優(yōu)點(diǎn)：第一，工作溫度范圍比較大，可在高溫下工作；第二，低阻抗、耐高破壞性；第三，可高頻工作；第四，散熱性好。因此自2001年由德國英飛凌公司率先投產(chǎn)SiC肖特基勢壘二極管(SBD)之后，越來(lái)越多企業(yè)致力于SiC功率器件的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)。

近日飛兆半導體就向外界宣布推出該公司首款SiC雙極結型晶體管(BJT)功率器件，該產(chǎn)品可實(shí)現1200V功率轉換開(kāi)關(guān)，額定工作溫度可達175℃，并實(shí)現穩定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力。而羅姆從2010年開(kāi)始批量生產(chǎn)SiC-SBD，與以往的Si-FRD(快速恢復二極管)相比，大幅縮短反向恢復時(shí)間，因此恢復損耗可以降低至原來(lái)的1/3。本屆高交會(huì )上，羅姆又進(jìn)一步展出性能升級的第二代SiC-SBD，具有原來(lái)的短反向恢復時(shí)間,同時(shí)降低正向電壓。在SiC-MOSFET方面，2010年12月羅姆在世界上首次以定制品形式量產(chǎn)SiC-MOSFET；2012年7月份開(kāi)始量產(chǎn)1200V耐壓的第二代SiC-MOSFET。三菱電機也重視SiC功率器件的開(kāi)發(fā)，于2010年在世界上首先開(kāi)發(fā)成功完全采用SiC、搭載驅動(dòng)電路和保護電路的SiC智能功率模塊(IPM)。

可以這樣說(shuō)，隨著(zhù)各個(gè)國際大型功率器件公司的不斷推進(jìn)，目前SiC已大體覆蓋了功率器件中的主要產(chǎn)品系列。
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2015年有望大規模商用

隨著(zhù)產(chǎn)品價(jià)格降低，市場(chǎng)真正發(fā)力的時(shí)點(diǎn)大約在2015年。

盡管SiC功率器件不斷被開(kāi)發(fā)并推向市場(chǎng)，然而到目前為止其市場(chǎng)規模并不大，應用范圍并不廣。根據市調機構IMS Research的數據，2012年全球SiC功率器件市場(chǎng)只有1億美元左右，且大部分的應用集中于電源供應器上。

對此，飛兆半導體亞太區市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁藍建銅指出：“SiC應用市場(chǎng)發(fā)展緩慢的主要原因是價(jià)格過(guò)高。目前，SiC功率器件的價(jià)格比Si器件貴10倍以上。造成價(jià)格高企的主要原因是SiC器件的制造工藝復雜，產(chǎn)能上不去，良品率低。目前SiC芯片基本是在4英寸晶圓上生產(chǎn)，一片4英寸晶圓只能切幾十顆裸片。”

因此，只有擴大產(chǎn)量，解決良品率問(wèn)題，使產(chǎn)品銷(xiāo)售價(jià)格降低，才有望啟動(dòng)市場(chǎng)的應用需求。而根據藍建銅的預測，市場(chǎng)真正發(fā)力的時(shí)點(diǎn)大約是在2015年。“預計制造工藝在未來(lái)2～3年內會(huì )有大幅改進(jìn)，提高良品率，降低產(chǎn)品價(jià)格。此外，2～3年后SiC器件有可能過(guò)渡到6英寸晶圓上生產(chǎn)，未來(lái)更可能過(guò)渡到8英寸晶圓。”在此情況下，預計2015年SiC功率器件的價(jià)格有望下降到2012年價(jià)格的一半左右，從而有望大幅提高其在市場(chǎng)上的應用比率。

IMS Research的預測數據也印證了這一點(diǎn)，2105年預計整體SiC功率器件市場(chǎng)規模有望接近5億美元，2021年將超過(guò)20億美元，提高20倍。其中增長(cháng)最快的應用市場(chǎng)可能是UPS與電動(dòng)汽車(chē)，工業(yè)驅動(dòng)器、PV逆變器次之。

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在系統成本上下工夫

僅比價(jià)格，SiC很難體現優(yōu)勢，要從系統成本上做文章。

既然SiC仍是半導體業(yè)界中比較新的一個(gè)課題，存在著(zhù)成本、良品率等多方面的問(wèn)題，抑制市場(chǎng)需求，企業(yè)自然不能被動(dòng)等待價(jià)格的下降。那么，如何才能有效擴大SiC的市場(chǎng)應用，為未來(lái)的極速發(fā)展占據有利位置呢？

“如果僅比較價(jià)格，就SiC單品而言，其優(yōu)勢是很難體現出來(lái)的，即使未來(lái)幾年中價(jià)格下降，也不可能降到與Si器件價(jià)格相當的地步，因此企業(yè)在進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與市場(chǎng)推廣時(shí)，要從系統成本的降低上做文章。比如考慮減少系統中電感器、散熱片、輸出電容器的用量，增加輸出功率同時(shí)保持系統外形尺寸不變，實(shí)現系統開(kāi)發(fā)上的簡(jiǎn)便，進(jìn)而縮短上市時(shí)間等。”藍建銅指出。

在相對高端的市場(chǎng)上尋找突破口，打開(kāi)應用空間也非常必要。吳海雷認為，因為具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件在相對價(jià)格不敏感的電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)等需要進(jìn)行功率轉換的逆變器、轉換器、PFC電路等領(lǐng)域，以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流器、逆變器等領(lǐng)域，有更大的應用機會(huì )。“基于SiC技術(shù)的MOS管可以做到1100V的耐壓，完全可以滿(mǎn)足汽車(chē)、新能源中大部分應用的需求。電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)領(lǐng)域，是SiC可以發(fā)揮的領(lǐng)域。”吳海雷指出。

此外，將SiC功率器件制成模組，既可形成更高的附加價(jià)值，也更加有利于推廣。Gourab Majumdar指出，碳化硅的功率器件用在系統上有很多好處，功率的密度可以更高，體積可以更小，更加耐高電壓，設計容易，總體來(lái)講可以提高功率半導體的效率，運用的領(lǐng)域可以更加廣泛、更為方便。藍建銅告訴記者，飛兆推出的SiC-BJT目前裸片、器件和模塊都可接受客戶(hù)預訂，且已開(kāi)發(fā)出一個(gè)針對汽車(chē)用逆變器的模組方案，可以提供300A電流，包括6顆50A、1200V的SiC-BJT器件與6顆50A的SiC整流器。羅姆半導體認為未來(lái)SiC功率器件將在電動(dòng)汽車(chē)中扮演重要角色，特別是當把它做成模組后。羅姆已批量生產(chǎn)SiC二極管和SiC-MOSFET，并于2012年3月開(kāi)始批量生產(chǎn)內置上述兩種元器件的功率模塊。