【導讀】可控硅因其結構簡(jiǎn)單，僅需一個(gè)觸發(fā)電路就可以工作的優(yōu)勢被作為交流開(kāi)關(guān)器件，并且應用越來(lái)越廣泛。本文主要講述的就是雙向可控硅完美工作時(shí)必備的十大準則。
準則1
為了導通閘流管（或雙向可控硅），必須有門(mén)極電流≧IGT，直至負載電流達到≧IL。這條件必須滿(mǎn)足，并按可能遇到的最低溫度考慮。
準則2
要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載電流必須間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的最高運行溫度下必須滿(mǎn)足上述條件。
準則3
設計雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）。
準則4
為減少雜波吸收，門(mén)極連線(xiàn)長(cháng)度降至最低。返回線(xiàn)直接連至MT1（或陰極）。若用硬線(xiàn)，用螺旋雙線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。
規則5
若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。
準則6
假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：
負載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側增加濾波電路。
準則7
選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。
準則8
若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。
準則9
器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線(xiàn)。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。
準則10
為了長(cháng)期可靠工作，應保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應于可能的最高環(huán)境溫度。
本文羅列出了十條對于閘流管和雙向可控硅工作非常有益的建議。大家在使用閘流管或者雙向可控硅之前可以不妨花上幾分鐘來(lái)閱讀本文，相信會(huì )有意想不到的收獲，從而幫助大家全方位的了解雙向可控硅并節約設計成本。
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