【導讀】隨著(zhù)LED在日常生活中已被廣泛使用，并在我國推廣節能照明的政策下，生產(chǎn)LED的廠(chǎng)家不計其數。這種種跡象讓人們理所當然地認為，和電腦、智能手機相比，這么個(gè)小小的燈管沒(méi)有太多的科學(xué)含量。
發(fā)光二極管
隨著(zhù)LED在日常生活中已被廣泛使用，并在我國推廣節能照明的政策下，生產(chǎn)LED的廠(chǎng)家不計其數。這種種跡象讓人們理所當然地認為，和電腦、智能手機相比，這么個(gè)小小的燈管沒(méi)有太多的科學(xué)含量。
但實(shí)際上，我國鋪天蓋地的光伏企業(yè)所做的，僅僅是對LED的封裝工作。這和電腦的生產(chǎn)十分相似，大大小小的企業(yè)只是把各個(gè)零件裝配起來(lái)，牛X一點(diǎn)的企業(yè)還會(huì )自行設計電腦外形。在LED這個(gè)行業(yè)，所有的光電企業(yè)，技術(shù)水平幾乎都達不到自行生產(chǎn)LED核心的部分，即發(fā)光二極管的芯片的程度。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，半導體容易發(fā)出紅黃光，很難發(fā)出藍光。要說(shuō)明制造藍光LED的困難性，首先得從LED的發(fā)光原理說(shuō)起。
LED發(fā)光原理
發(fā)光二極管（Light EmitTIng Diodes， LED）的發(fā)光區域是p-n結，稱(chēng)為有源區（acTIve region）。在兩端加上電場(chǎng)后，p區的空穴和n區的電子向中央移動(dòng)，終在這個(gè)區域復合。當然，不是所有的電子-空穴對復合時(shí)都會(huì )發(fā)出光子，能輻射出光子的復合稱(chēng)為輻射性復合（radiaTIve recombinaTIon）。這個(gè)過(guò)程也可以認為是電子從導帶（conduction band）躍遷到價(jià)帶（valence band），并輻射出一個(gè)光子，如下圖。
所以，輻射光的顏色，或者說(shuō)輻射光子的能量完全由帶隙（band gap）決定。人們的需求使得半導體工藝迅猛發(fā)展，如今已經(jīng)可以制備很大的單晶硅，即一塊相當完美的晶體，缺陷很少。只可惜，代半導體硅是間接帶隙（indirect bandgap）半導體，發(fā)光效率很低。對于電致發(fā)光元件來(lái)說(shuō)，通常采用直接帶隙（direct bandgap）半導體，發(fā)展過(guò)程如下圖。
然而對于直接帶隙半導體，如何獲取完美的晶體一直是技術(shù)上的難題。II-VI族半導體化合物極容易形成結構上的缺陷，缺乏商業(yè)應用的價(jià)值，因此被關(guān)注更多的是III-V族半導體化合物。在1975年之前，第二代半導體砷化物和磷化物已經(jīng)實(shí)現在紅黃光區的明亮發(fā)光。由下圖可以看到，GaP與GaAs的帶隙較小，輻射的光子處于紅黃波段。為了實(shí)現短波輻射，需要提高磷組分的含量，但這導致發(fā)光效率大幅下降。
隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，第三代半導體氮化物的優(yōu)勢逐漸顯現。圖中的縱軸是能隙寬度，可見(jiàn)光范圍約為1.5eV-3eV. 由圖中可以看到，InN的帶隙為1.9eV，對應紅光區；而GaN 帶隙為3.4eV，對應于紫外光區。通過(guò)In與Ga組分配比調節，可以覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光區。
但如此美好的前景被一個(gè)殘酷的現實(shí)擊碎了 —— 氮化物的晶體質(zhì)量無(wú)法得到保障。由于GaN與InN晶格常數不同，在高銦組分下，晶格失配導致大量缺陷的產(chǎn)生，嚴重影響器件的發(fā)光效率。之前提到GaAsP在短波段發(fā)光效率下降，是物理原理所致；而這里卻是生產(chǎn)技術(shù)的原因。
LED面臨的問(wèn)題
藍光LED的芯片屬于是氮化鎵材料系，其面臨的問(wèn)題主要有：1.黃綠光波段缺陷（Green-YellowGap） 從下圖可以看出，InGaN與AlGaInP兩種材料系的LED在可見(jiàn)光區的兩端有很高的外量子效率（即電光轉化效率），但在黃綠光區的效率卻都明顯下降。而其原因已經(jīng)在前文說(shuō)明。
2.效率驟降（Efficiency Droop） 在小電流注入下，LED有很高的發(fā)光效率。但將注入電流增加至可供使用的程度時(shí)，高功率LED的發(fā)光效率會(huì )產(chǎn)生多于70% 的大幅衰減。這不是由簡(jiǎn)單的芯片發(fā)熱引起的，原因未有定論，主要有兩種解釋?zhuān)憾硇獜秃希ˋuger recombination）與載流子溢出（carrier leakage）。
因此，在看到某大型照明企業(yè)在官方主頁(yè)聲稱(chēng)自己的研發(fā)團隊“利用半導體降溫技術(shù)完全解決了發(fā)光效率衰減的問(wèn)題”時(shí)，可能還只是噱頭。
現在物理諾獎頒發(fā)給了藍光LED的發(fā)明者，看到此消息時(shí)心里萬(wàn)分感慨。Nakamura的文獻我讀過(guò)很多，他所帶領(lǐng)的科研組在91年就已研制p-n結藍光LED，兩年后又制備了雙異質(zhì)結LED。實(shí)現LED的商業(yè)化，他們克服的困難大致有以下三類(lèi)：1.GaN晶體的生長(cháng)，減小缺陷密度；2.有源區結構的設計，提高發(fā)光效率；3.電極的制作，使得金屬電極與半導體之間形成歐姆接觸（Ohmic contact），從而能使半導體芯片能連入電路。
在今天，LED有源區的設計出現了許多新的結構，用得多的是多量子阱（Multiquantum Well， MQW）。我國的科研組至今仍未制備出可商業(yè)化的LED芯片。雖然節能照明一直受到國家政策的扶持，但這個(gè)行業(yè)的發(fā)展前景卻不容樂(lè )觀(guān)。我國大大小小照明企業(yè)即使能自行生長(cháng)LED芯片，但生長(cháng)用的MOCVD設備折舊是一筆極大的開(kāi)銷(xiāo)，大部分利潤流入外國生產(chǎn)設備的廠(chǎng)家。我國某些排名前十的企業(yè)甚至只能靠國家補貼生存，LED行業(yè)的現狀令人唏噓不已。
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