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SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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MAX3622:Maxim網(wǎng)絡(luò )設備用超低抖動(dòng)兩路輸出時(shí)鐘發(fā)生器
Maxim推出超低抖動(dòng)、兩路輸出時(shí)鐘發(fā)生器MAX3622。器件采用低噪聲VCO和專(zhuān)有的PLL架構,從一個(gè)25MHz晶體諧振器產(chǎn)生2路0.14psRMS (典型值)的超低抖動(dòng)時(shí)鐘輸出。
2008-05-27
MAX3622 時(shí)鐘發(fā)生器
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B1642:EPCOS電纜調制解調器用聲表面波濾波器
愛(ài)普科斯(EPCOS)現可提供B1642聲表面波(SAW)濾波器,用于接收寬帶電視和接入因特網(wǎng)的電纜調制解調器。該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)針對國際第三代有線(xiàn)電纜數據業(yè)務(wù)接口規范(DOCSIS 3.0標準)而研發(fā),這一規范將主要應用在美國和韓國。
2008-05-21
B1642 聲表面波濾波器 SAW濾波器
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STC03DE220HV:意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管)功率開(kāi)關(guān),新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管
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STC03DE220HV:意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開(kāi)關(guān)
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管)功率開(kāi)關(guān),新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開(kāi)關(guān)電源的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管
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MAX4996/MAX4996L:Maxim SDHC和SDIO復用三路DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)MAX4996/MAX4996L,可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為2.0Ω)、導通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA),從而能夠實(shí)現高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內最高額定及飽和電流以及業(yè)內最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10:Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E:Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E,可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz),允許采用單個(gè)連接器實(shí)現高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)
- 貿澤電子上線(xiàn)機器人資源中心:賦能工程師探索智能自動(dòng)化未來(lái)
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