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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內提供先進(jìn)的保護功能、降低泄漏電流實(shí)現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內提供先進(jìn)的保護功能、降低泄漏電流實(shí)現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類(lèi)電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D：意法半導體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源
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STGxL6NC60D：意法半導體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車(chē)精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車(chē)精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過(guò)AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED
為滿(mǎn)足日益增長(cháng)的對AlInGaP技術(shù)的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強度和低功耗的特點(diǎn)。
2008-05-09
VLRE31 VLRK31 LED
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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí)，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導體擴充了高性能時(shí)鐘和數據管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時(shí)鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡(luò )、電信和高端計算應用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用 振蕩器
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