產(chǎn)品特性

• 3.3 m? 及5.5 m? 的超低導通電阻
• ±20V 柵源極電壓
• PowerPAK SO-8 封裝
• 高容許最大漏電流和最大功率損耗

應用范圍

• 筆記本電腦
• 工業(yè)/通用系統應用

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型20-V 和30V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。 

現有的同類(lèi) SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 m? ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 m? （在 10 V 時(shí)）及 5.5 m? （在4.5 V 時(shí)）的超低導通電阻。這些值比最接近的同類(lèi) 30-V 器件低 27%（在 10 V 時(shí)）和 28% （在4.5 V 時(shí)），比最接近的同類(lèi) 25-V SO-8 器件分別低  28% 和 15%。30V Si7135DP 的導通電阻為 3.9 m?（在10 V 時(shí)） 和  6.2 m?（在4.5 V 時(shí)），比最接近的同類(lèi)器件分別低 13% （在 10 V 時(shí)）和 19.5% （在4.5 V 時(shí)）。 

這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封裝，可容許比其它 SO-8 封裝器件高 60% 的最大漏電流和高 75 % 的最大功率損耗。 

這兩款新型器件可用作適配器切換開(kāi)關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統中的負載切換應用。適配器切換開(kāi)關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態(tài)，消耗電流。Si7633DP 和Si7135DP的低導通電阻能耗低，節省電力并延長(cháng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。

Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 m?（在 10 V 時(shí)）和 7.75 m?（在4.5 V 時(shí)）的導通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過(guò) Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。 

目前，該新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。