中心議題：
- IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題
解決方案：
- 之前采用的方法是最壞情況分析方法
- 英飛凌公司現在推出蒙特卡羅模擬工具
- 最差情況分析結果僅僅表明最高結溫可能達到IGBT的溫度限值
- 蒙特卡羅分析則提供更詳細的信息
IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題同器件的工藝問(wèn)題一樣是一個(gè)老問(wèn)題了。在試圖回答該問(wèn)題時(shí)，工程師們通常會(huì )很快地發(fā)現自己處在一個(gè)兩難的位置上。過(guò)去，人們針對該問(wèn)題提出了一些考慮統計因素的方法，但是到目前為止，仍然沒(méi)有人可以回答這樣的關(guān)鍵問(wèn)題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí)，超出器件限值的概率有多大?，F在，英飛凌公司推出的蒙特卡羅模擬工具可以給出這方面的信息。
之前采用的方法（最壞情況分析方法）
并聯(lián)開(kāi)關(guān)IGBT模塊的參數浮動(dòng)會(huì )導致電流不平衡，從而使得不同模塊的工作溫度不一致。問(wèn)題是同簡(jiǎn)單工作模式相比，模塊可以在何種程度上實(shí)現并聯(lián)工作。
比如“最壞情況分析方法”等以前的方法是根據產(chǎn)品手冊中的最大值計算得出降額系數，從而確定并聯(lián)并非一個(gè)好主意。
如圖1所示，以下這個(gè)例子給出了在給定總電流為700A 時(shí)，計算五個(gè)并聯(lián)的FF200R12KT3模塊的DC電流不平衡度的過(guò)程。其中，每個(gè)模塊的環(huán)境參數為：UDC= 600V, IRMS= 140A, fMotor= 50 HZ, fsw= 6500Hz, 以及cosφ = 0,9。
圖1：五個(gè)并聯(lián)的FF200R12KT3模塊
如果所有的模塊都精確地具有產(chǎn)品手冊所給出的典型靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數，那么計算得到的工作溫度為T(mén)J=114°C。假設所有模塊都在最高額定限值條件下工作，并且施加飽和電壓，那么結溫將提高8°C到122°C。
下面，我們用所謂的“最差情況”方法進(jìn)行分析。如圖2所示，一個(gè)模塊（類(lèi)別1）工作在典型飽和電壓下，而其他四個(gè)模塊（類(lèi)別2）工作在最高限值條件下。
圖2：飽和電壓柱狀圖
具有典型飽和電壓的模塊（類(lèi)別2）的工作電流為197A。在開(kāi)關(guān)條件下的最高結溫將超過(guò)10°C到135°C。而在最高限值條件下的模塊結溫為119°C，電流為126A。這些數據表明，在最差假設情況下的并聯(lián)僅僅存在降額可能性。但這是否必然發(fā)生？降額的可能性有多大？下面的分析將給出這些問(wèn)題的答案。
蒙特卡洛方法
蒙特卡羅方法使得觀(guān)察所有效應成為可能，這是通過(guò)對大量具有不同參數的器件樣品進(jìn)行模擬來(lái)實(shí)現的。這種方法的基礎是隨機數?？梢岳幂啽P(pán)賭模型生成這些隨機數。
英飛凌的蒙特卡羅模擬工具（如圖3所示）可以為n個(gè)并聯(lián)模塊中的每一個(gè)模塊生成一組參數。
圖3：LabVIEW中的模擬程序：用戶(hù)界面
下面的語(yǔ)句按步驟描述了蒙特卡羅模擬的基本過(guò)程。
第一步驟計算隨機選擇的通態(tài)電壓下的均流。在接下來(lái)的模擬步驟中，程序將在每個(gè)模塊計算得到的電流中加上開(kāi)關(guān)損失。隨后，通過(guò)將進(jìn)一步計算得到的損失與模塊的Rth相乘得到結溫。
最后一步是對計算得到的結溫進(jìn)行通態(tài)和開(kāi)關(guān)損失調整。
蒙特卡羅模擬工具將重復執行這四個(gè)步驟，直到每一個(gè)模塊的結溫都集中為某一特定值為止。圖4所示的流程圖給出了一個(gè)隨機模塊配置的損失計算過(guò)程。
圖4：隨機模塊配置的損失計算原理
上面所給出的計算流程被用于處理每一個(gè)生成的模塊配置，并且利用這個(gè)迭代方法得到溫度同所有的參數之間的依賴(lài)關(guān)系。
參數變化
在模擬過(guò)程中必須考慮到眾多的參數以及它們的分布，以使得模擬盡可能地接近實(shí)際情況。
對于電流不平衡度，VCEsat 值是適當的輸入參數。VCEsat的變化可以從最終測試數據中獲知。圖2給出了一個(gè)1200V IGBT³芯片的典型飽和電壓柱狀圖。
并聯(lián)模塊之間溫度差異的深層原因則是因為并聯(lián)模塊在開(kāi)關(guān)過(guò)程中是不平衡的。有兩個(gè)主要原因造成了這些不對稱(chēng)，首先是芯片參數的變化（如輸入電容的變化，VGEth的變化等），另外是系統參數的變化（如門(mén)驅動(dòng)器階段參數的變化等）。
根據實(shí)驗室特征化測試結果，導通和關(guān)斷損失的統計標準方差值確定為典型值的5-7%。除了關(guān)斷損失的統計變化之外，在Eoff和VCEsat之間還存在一個(gè)系統折衷關(guān)系。飽和電壓越小，IGBT芯片的關(guān)斷損失就越大，反之亦然。在蒙特卡羅模擬工具也實(shí)現了這個(gè)折衷函數。
如前所述，系統的參數變化也會(huì )影響到導通損失。當門(mén)驅動(dòng)器的參數變化的影響超過(guò)了芯片參數變化的影響時(shí)，就必須考慮這些參數變化。這可能包括光電耦合器的延遲和轉換時(shí)間參數的浮動(dòng)或者是門(mén)驅動(dòng)輸入阻抗參數的浮動(dòng)。
在許多情況下，器件中的系統不平衡的影響將大大超過(guò)統計浮動(dòng)的影響。這些不平衡可能由電流路徑中的非均勻電阻或者非均勻寄生電感特別是雜散電感造成的。
為了在蒙特卡羅模擬中得到精確的結果，很有必要得到關(guān)于實(shí)際設備中的系統不平衡的所有信息。獲取或者知道越多的設備參數，所得到的PPM聲明的精確度也就越高。
模擬結果
根據模擬所得到的結果，可以生成器件電流和結溫的分布函數。下面的柱狀圖給出了對例子中的五個(gè)并聯(lián)FF200R12KT3模塊進(jìn)行40000次模擬所得到的蒙特卡羅模擬結果。第一個(gè)柱狀圖（圖5）給出了5個(gè)模塊中的最高溫度分布情況。圖6則給出了所有五個(gè)模塊的箱線(xiàn)圖以及它們各自的最高溫度分布情況。
圖5：最大IGBT結溫柱狀圖
圖6：IGBT結溫箱線(xiàn)圖
PPM聲明
利用模擬所得到的結果，可以回答諸如此類(lèi)的問(wèn)題：在什么樣的配置ppm率下，將會(huì )超過(guò)最高指定的結溫？這個(gè)聲明對于客戶(hù)而言是十分有用的，它可以幫助客戶(hù)針對其應用選擇適當的模塊。模擬計算所得到的最高結溫分布是一個(gè)對數正態(tài)分布（如下圖所示）。
圖7：五個(gè)并聯(lián)模塊的溫度分布
利用這個(gè)函數和相應的標準方差，可以指定一個(gè)超過(guò)指定結溫的配置ppm率。
基于最初的計算，可以預測超過(guò)最高結溫限值（在給出的例子中為T(mén)J=125°C）的并聯(lián)IGBT模塊的ppm率為0.56ppm。而最差情況計算得到的結果僅僅是最高結溫值可能達到135°C。
總結
利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機模塊參數和系統不平衡度計算出電流不平衡度，開(kāi)關(guān)損失以及結溫。基于這些結果，就有可能計算超過(guò)最高結溫的期望ppm率。
在所給出的例子中，最差情況分析結果僅僅表明最高結溫可能達到135°C。而蒙特卡羅分析則提供更詳細的信息->每百萬(wàn)個(gè)模塊中只有0.56個(gè)模塊會(huì )超過(guò)IGBT的溫度限值。轉換器的開(kāi)發(fā)人員可以利用這些信息來(lái)確定轉換器中可采用的模塊類(lèi)型。
