【導讀】在重負載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時(shí)間trr較長(cháng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì )誤導通，從而損壞MOSFET。這種問(wèn)題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導通（誤導通）、瞬間流過(guò)大電流時(shí)。
關(guān)鍵要點(diǎn)
?在重負載時(shí)，如果trr較長(cháng)，則超前臂關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì )誤導通，從而損壞MOSFET。
?在PSFB電路中，在反向恢復期間體二極管的偏置電壓幾乎為0V，因此電荷釋放速度變慢，最終導致trr變長(cháng)。
?在PSFB電路中使用trr小的MOSFET很重要。
?即使是快速恢復型SJ MOSFET，其性能也會(huì )因制造商和產(chǎn)品系列而異，因此在選擇時(shí)需要充分確認。
在重負載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時(shí)間trr較長(cháng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì )誤導通，從而損壞MOSFET。這種問(wèn)題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導通（誤導通）、瞬間流過(guò)大電流時(shí)。
在逆變器電路等電路中，在正向電流流過(guò)MOSFET的體二極管的狀態(tài)下，通過(guò)施加高反向偏置電壓，強制使體二極管中的電荷（Qrr）被快速釋放。這種放電所需時(shí)間為trr，因此最終會(huì )導致trr變短。
而在PSFB電路中，在反向恢復期間施加到體二極管的偏置電壓幾乎為0V，這會(huì )使電荷釋放速度變慢，最終導致trr變長(cháng)。下圖為超前臂MOSFET的VDS、ID和反向恢復電流示意圖。
當trr變長(cháng)時(shí)，反向恢復所產(chǎn)生的電流會(huì )發(fā)生變化，如圖中紅色虛線(xiàn)所示。也就是說(shuō)，當關(guān)斷時(shí)，MOSFET中有電荷殘存，這使得電流更容易流動(dòng)，使寄生雙極晶體管更容易誤導通。
t0～t1：從MOSFET的輸出電容放電，正向電流開(kāi)始流過(guò)體二極管。
t1～t3：體二極管導通的時(shí)間段。
t1～t5：MOSFET導通，處于導通狀態(tài)的時(shí)間段。
t3～t4：體二極管流過(guò)反向恢復電流的時(shí)間段。trr越長(cháng)，這個(gè)時(shí)間段就越長(cháng)。
t5～t6：MOSFET關(guān)斷。這時(shí)，如果trr過(guò)長(cháng)，則寄生雙極晶體管更容易誤導通，導致?lián)p壞MOSFET。
因此，在PSFB電路中，需要使用trr小的MOSFET。簡(jiǎn)言之，trr越小越有效。市場(chǎng)上有一些低trr的快速恢復SJ MOSFET，但制造商和產(chǎn)品系列不同，trr及其相關(guān)參數也存在差異，因此，在選擇時(shí)需要進(jìn)行充分確認。
即使是滯后臂的MOSFET，在關(guān)斷時(shí)也可能引起寄生雙極晶體管的誤導通。但是，正如通過(guò)PSFB電路的工作所解釋說(shuō)明的，由于與超前臂相比，ID為正的時(shí)間段較長(cháng)，因此不容易受到trr的影響，滯后臂不容易因寄生雙極晶體管的誤導通而導致MOSFET損壞。與超前臂一樣，這里也給出了反向恢復電流的示意圖。
t0～t1：從MOSFET的輸出電容放電，正向電流開(kāi)始流過(guò)體二極管。
t0～t2：體二極管導通的時(shí)間段。
t1～t4：MOSFET導通，處于導通狀態(tài)的時(shí)間段。
t2～t3：體二極管流過(guò)反向恢復電流的時(shí)間段。trr越長(cháng)，這個(gè)時(shí)間段就越長(cháng)。
t4～t5：MOSFET關(guān)斷。與超前臂相比，不易受反向恢復的影響，因此寄生雙極晶體管不易發(fā)生誤導通。
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