【導讀】功率晶閘管廣泛應用于A(yíng)C/DC變換器，UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計算和在線(xiàn)IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進(jìn)行說(shuō)明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在A(yíng)C/DC整流應用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。

晶閘管是半控型電力電子器件，可通過(guò)門(mén)極在晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，控制晶閘管導通，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管自行關(guān)斷。晶閘管一般處于工頻開(kāi)關(guān)工作，所以在計算其損耗時(shí)，忽略開(kāi)關(guān)損耗，只計算其導通損耗。

公式計算方法如下：

各參數定義如下：

P_VT是單個(gè)晶閘管的損耗

V_T0是閾值電壓 (threshold voltage)

I_TAV是單個(gè)晶閘管輸出電流平均值

r_T是斜率電阻 (slope resistance)

F是波形因數 (form factor)，可由公式2獲得

其中I_TRMS是單個(gè)晶閘管輸出電流均方根值，即有效值；對于UPS旁路應用中的正弦半波電流，此時(shí) F取值1.571。（參考文后公式4~6）

上圖電路中I₁是該相交流電流有效值，I_TAV是單個(gè)晶閘管的電流平均值，U₁為相電壓有效值。

以600kW UPS，輸出電壓400 VAC旁路舉例，分別考慮下述過(guò)載規格，125%功率過(guò)載10分鐘以及150%功率過(guò)載1分鐘，并且以85%輸出電壓作為最?lèi)毫訔l件。

125%功率過(guò)載時(shí)，對應的最大相電流有效值為：

根據公式4計算該單個(gè)器件的電流平均值為：

選擇TT820N16KOF和TT600N16KOF作為方案備選，它們的參數如下：

由于只計算單個(gè)晶閘管的損耗，R_thJC取單個(gè)晶閘管的結殼熱阻(per arm,θ=180° sin)。將上述參數代入公式1，并假定器件的殼溫T_case=85°C，根據公式3即可計算出器件結溫。

對比這兩個(gè)方案的計算結溫，TT820N16KOF的結溫裕量有19，TT600N16KOF只有2.5。

150%功率過(guò)載時(shí)，對應的最大相電流有效值為：

根據公式4計算該單個(gè)器件的電流平均值為：

同上述125%功率過(guò)載計算方法一樣，并且由于規格書(shū)中的瞬態(tài)熱阻在60S時(shí)已經(jīng)穩定，我們可以使用上述表格中的最大R_thJC值來(lái)計算結溫。

對比這兩個(gè)方案的計算結溫，TT820N16KOF的結溫裕量仍然有10℃，TT600N16KOF已經(jīng)超過(guò)最大結溫上限了。顯然，TT820N16KOF是最適合600kW UPS的旁路方案。此類(lèi)壓接型的晶閘管外觀(guān)呈現黑色，有著(zhù)更高的結溫規格以及更強的抗沖擊電流能力，適合UPS旁路應用。

我們再使用IPOSIM來(lái)進(jìn)行仿真，然后同公式計算結果進(jìn)行對比。

掃描下方二維碼或點(diǎn)擊文末“閱讀原文”，登陸英飛凌官網(wǎng)上的IPOSIM頁(yè)面，選擇AC/AC Applications。

在器件選型中，選取TT820N16KOF和TT600N16KOF。

在Circuit & Control中輸入上文計算的I₁，這里I₁=I_out。

在Cooling Condition中設置固定殼溫(Fixed Case Temperature)，最后運行仿真(Run Simulation)。

仿真結果如下。其中P_arm即是上文計算的P_VT，TT系列晶閘管內部是2顆芯片反向并聯(lián)，P_tot=P_arm*2。結果也顯示最大結溫T_{vj max}和單個(gè)晶閘管電流均方根值I_TRMS。

125%過(guò)載結果

150%過(guò)載結果

對比公式計算和IPOSIM仿真結果，基本一致。

當然，IPOSIM的功能更強大，在Cooling Condition中還可以設置散熱片參數，得到更準確的結溫仿真結果。同時(shí)，使用IPOSIM也更簡(jiǎn)單，只需要填入電流有效值即可，并能同時(shí)仿真多個(gè)方案進(jìn)行對比。

以上，是晶閘管在UPS旁路應用中的損耗評估方法，請各位參考，謝謝。

附

正弦半波電流的平均值和均方根有效值的計算。

正弦半波電流的有效值

作者：周明

來(lái)源：英飛凌

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