你的位置:首頁(yè) > RF/微波 > 正文

射頻PA+FEM導雜散差的原因分析

發(fā)布時(shí)間:2020-05-13 責任編輯:lina

【導讀】射頻 PA+FEM 加上屏蔽罩的傳導雜散更差(DCS 的二三次諧波),不知是何原因,請賜教!
 
問(wèn)題:射頻 PA+FEM 加上屏蔽罩的傳導雜散更差(DCS 的二三次諧波),不知是何原因,請賜教!
 
可能原因三個(gè) :
 
1. 匹配組件受 Shielding Cover 影響 以至于阻抗偏了
如下圖 :
 
射頻PA+FEM導雜散差的原因分析
 
若 Shielding Cover 跟匹配組件太近 其寄生效應改變其電感或電容值,以至于阻抗改變 那當然傳導諧波變大。尤其是早期 0402 組件更容易這樣 但現在 0201 組件很少會(huì )這樣了。
 
2. RF 訊號泄漏到 PA 的 Vcc
當你蓋上屏蔽罩時(shí),PA 會(huì )把 RF 訊號 輻射或耦合到屏蔽罩上方,也就是說(shuō) 屏蔽罩上方 會(huì )有殘留的 TX 訊號。
 
若屏蔽罩接地良好 那么這些殘留的 TX 訊號 會(huì )通通流到 GND;
若屏蔽罩接地良好 那么這些殘留的 TX 訊號,一部分流到 GND 一部分會(huì )再反射;
若反射的 TX 訊號 打到 PA 的 Vcc 那當然 TX 性能就劣化。
 
 射頻PA+FEM導雜散差的原因分析
 
3. 屏蔽罩跟 PA 離太近 之間的寄生效應 改變了 PA 特性
驗證方式 :
第一種現在很少見(jiàn)了 所以就不提
第二種的話(huà) 可以這樣驗證 如下圖:
 
射頻PA+FEM導雜散差的原因分析
 
因為你說(shuō)沒(méi)加屏蔽罩時(shí) 其傳導雜散會(huì )比較好,因此,如果在沒(méi)加屏蔽罩狀況下 你用這種方式。其傳導雜散變得跟加了屏蔽罩時(shí)一樣差,那兇手就可能是來(lái)自這原因。
值得注意的是,那個(gè) DC Block 要加,避免 Vcc 的直流電源,回灌到 PA 或 CMW500。
 
 射頻PA+FEM導雜散差的原因分析
 
第三種的話(huà) 在沒(méi)加屏蔽罩狀況下
在 PA 上方先貼個(gè)膠帶,再隨便放個(gè)金屬片。一樣,你說(shuō)沒(méi)加屏蔽罩時(shí),其傳導雜散會(huì )比較好。
因此,如果在沒(méi)加屏蔽罩狀況下,你用這種方式。
若其傳導雜散變得跟加了屏蔽罩時(shí)一樣差,那兇手就可能是來(lái)自這原因。
 
 射頻PA+FEM導雜散差的原因分析
 
解決方案:
第一種現在很少見(jiàn)了,所以就不提。
 
第二種的話(huà)
因為兇手是來(lái)自 RF 訊號灌入 Vcc,所以你在 Vcc 那邊。擺放一個(gè)落地電容,讓灌入 Vcc 的 RF 訊號流到 GND。
既然你主頻是 DCS 以 0201 的電容來(lái)講,你就放個(gè) 18 pF。
 
 射頻PA+FEM導雜散差的原因分析
 
第三種只能改結構
要嘛把屏蔽罩跟 PA 之間距離拉大,不然就是 PA 上方直接開(kāi)天窗。
 
 
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
 
 
推薦閱讀:
TI毫米波傳感器:邊緣智能化為自主工廠(chǎng)提供動(dòng)力
如何應對FPGA或SoC電源應用面臨的小尺寸、低成本挑戰?
聯(lián)想智慧中國行:聯(lián)想商用IoT新品發(fā)布會(huì )圓滿(mǎn)落幕
如何通俗易懂的理解電源中的開(kāi)關(guān)AC-DC轉換
如何權衡CCD圖像傳感器的各類(lèi)優(yōu)缺點(diǎn)
要采購射頻么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

久久无码人妻精品一区二区三区_精品少妇人妻av无码中文字幕_98精品国产高清在线看入口_92精品国产自产在线观看481页