【導讀】三星宣布完成了基于 8nm生產(chǎn)工藝的射頻（RF） 技術(shù)的開(kāi)發(fā)。這項尖端的代工技術(shù)有望提供“一個(gè)芯片解決方案”，尤其是通過(guò)支持多通道和多天線(xiàn)芯片設計增強 5G 網(wǎng)絡(luò )通信。這項 8nm射頻平臺的推出將會(huì )進(jìn)一步鞏固三星在 5G 半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導地位。
三星的 8nm射頻工藝技術(shù)是對已廣泛應用的射頻相關(guān)解決方案組合（包括 28nm和 14nm的射頻）的最新補充。自2017年以來(lái)，三星通過(guò)為高端智能手機出貨超過(guò)5億顆移動(dòng)射頻芯片，確立了其在射頻市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
三星電子代工技術(shù)開(kāi)發(fā)團隊主管 Hyung Jin Lee 表示：“通過(guò)卓越的創(chuàng )新和工藝制造，我們已經(jīng)加強了我們的下一代無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品。隨著(zhù) 5G mmWave 的擴大，三星的 8nm射頻將成為在緊湊型移動(dòng)設備上尋求長(cháng)電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶(hù)的絕佳解決方案”。
隨著(zhù)持續擴展到先進(jìn)節點(diǎn)，數字電路在性能、功耗和面積（PPA）方面有了明顯的改善，而模擬/射頻塊卻沒(méi)有享受到這樣的改善，原因是退行性組件，如窄線(xiàn)寬帶來(lái)的電阻增加。因此，大多數通信芯片往往看到射頻特性的退化，如接收頻率的放大性能惡化和功耗增加。
為了克服模擬/射頻擴展的挑戰，三星開(kāi)發(fā)了一種 8nm射頻專(zhuān)用的獨特架構，名為 RFextremeFET（RFeFET），可以在使用更少的功率的同時(shí)顯著(zhù)改善射頻特性。與 14nm射頻相比，三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 的擴展，同時(shí)恢復了模擬/射頻的擴展，從而實(shí)現了高性能5G平臺。
三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道流動(dòng)性，同時(shí)最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能得到極大改善，射頻芯片的晶體管總數和模擬/射頻塊的面積可以減少。
與14nm的射頻技術(shù)相比，由于RFeFET架構的創(chuàng )新，三星的8nm射頻工藝技術(shù)在射頻芯片面積減少35%的情況下，功率效率最高可提高 35%。
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