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晶閘管選型與應用實(shí)戰指南：多維參數平衡與場(chǎng)景化設計深度解析
在電力電子領(lǐng)域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向導通特性和強大的功率處理能力，在工業(yè)控制、能源轉換等領(lǐng)域持續發(fā)揮著(zhù)重要作用。隨著(zhù)電力系統復雜度的提升，如何科學(xué)選型并充分發(fā)揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
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第1講：三菱電機功率器件發(fā)展史
三菱電機從事功率半導體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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如何在下一代 MCU 應用中實(shí)現投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當控制信號施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會(huì )打開(kāi)。當使用直流電時(shí)，可以通過(guò)去掉電源電壓來(lái)關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個(gè)重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調整開(kāi)關(guān)閾值的能力。
2023-12-25
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具有受控開(kāi)關(guān)閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當控制信號施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會(huì )打開(kāi)。當使用直流電時(shí)，可以通過(guò)去掉電源電壓來(lái)關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個(gè)重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調整開(kāi)關(guān)閾值的能力。
2023-12-22
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超小尺寸，支持 750 V浪涌峰壓的SCR，是智能斷路器開(kāi)發(fā)首選
X0115ML是一款由 ST設計的緊湊型可控硅整流器 (SCR)，用于接地故障斷路器 (GFCI)和電弧故障 斷路器 (AFCI)。它具有 750V的斷態(tài)浪涌 峰值電壓 ，并采用 SOT23-3L微型 封裝 (2.75mmx3.10mm)，可能是目前市場(chǎng)上最小的晶閘管 。使用 X0115ML可以大大節省電路板空間 ，并且讓工業(yè)應用具有600V的斷態(tài)重復峰值電壓 。此外 ，該產(chǎn)品的爬電距離為1.1mm，滿(mǎn)足了UL 840規范 120VAC無(wú)涂層絕緣的要求 。
2023-11-26
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晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算
功率晶閘管廣泛應用于A(yíng)C/DC變換器，UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計算和在線(xiàn)IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進(jìn)行說(shuō)明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在A(yíng)C/DC整流應用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。
2023-08-03
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晶閘管是怎么調節燈泡亮度的？
那有什么辦法可以控制這個(gè)燈的亮度嗎？當然有了，那就是晶閘管，它是很重要的，交流控制器件，比如調節交流電的燈光亮度，調節電水壺水溫，還有風(fēng)扇無(wú)極調速，都可以用晶閘管實(shí)現。
2023-06-23
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
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可控硅工作解析
可控硅又叫晶閘管，和其它半導體器件一樣，具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)?？煽毓枳鳛榉浅３墒斓陌雽w器件，從弱電到強調，消費電子到工業(yè)等都得到廣泛應用，可以作為整流、無(wú)觸點(diǎn)電路開(kāi)關(guān)以及逆變應用等，本章重點(diǎn)對于其結構以及等效電路展開(kāi)分析，有助于讀者加深對于可控硅產(chǎn)品的了解與認知。
2023-04-25
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針對高壓應用優(yōu)化寬帶隙半導體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實(shí)現高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導通電阻來(lái)控制系統中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設計的關(guān)鍵參數。電導率的主要行業(yè)標準是材料技術(shù)中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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IGBT和MOSFET該用誰(shuí)？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱(chēng)是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著(zhù)新能源汽車(chē)、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來(lái)了發(fā)展的春天。
2022-01-26
- 電容選型避坑手冊：參數、成本與場(chǎng)景化適配邏輯
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