久久天天躁狠狠躁夜夜AV浪潮_設計必備：如何防止電路設計中的靜電放電

干貨

元器件靜電放電隱患貫穿元器件設計、生產(chǎn)、檢驗、交接、運輸、使用全過(guò)程，通用的防護手段不可或缺，但為滿(mǎn)足新型號用元器件的發(fā)展對靜電防護技術(shù)的提升需求，需要建立系統性、工程性的靜電防護體系，遵循靜電防護與全面質(zhì)量管理相結合，靜電防護與關(guān)鍵工序質(zhì)量控制相結合，靜電防護堅持領(lǐng)導、技術(shù)人員、基層員工三結合的原則，控制元器件靜電放電損傷質(zhì)量問(wèn)題的產(chǎn)生，為保障型號元器件可靠性提供了有力的支撐。

不比不知道！系統層級靜電放電與芯片層級靜電放電的差異

隨著(zhù)半導體技術(shù)的發(fā)展，大量集成電路被應用到電子產(chǎn)品中，靜電放電也成為影響電子產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。但是靜電放電針對不同的環(huán)境也有不同的差異。最為明顯的就是系統層級靜電放電和芯片層級靜電放電。詳細閱讀>>

問(wèn)題盤(pán)點(diǎn)：智能手機EMI測試中ESD靜電放電

智能手機設計在經(jīng)歷電磁兼容測試時(shí)候總是會(huì )出現或多或少的ESD靜電放電抗擾問(wèn)題，這些ESD問(wèn)題都分布在哪里呢？主要是些什么樣的ESD靜電放電問(wèn)題？有什么大的問(wèn)題和后果？詳細閱讀>>

基于USB3.0靜電放電防護的解決方案

為實(shí)現十倍于USB2.0的傳輸速度，USB 3.0控制芯片必須使用更先進(jìn)的制程來(lái)設計與制造，這也造成控制芯片對ESD的耐受能力快速下降。USB 3.0會(huì )被大量用來(lái)傳輸影音數據，對數據傳輸容錯率會(huì )有越嚴格的要求，必要使用額外的保護組件來(lái)防止ESD事件對數據傳輸的干擾。詳細閱讀>>

ESD - 設計PCB時(shí)的抗靜電放電方法

在PCB板的設計當中，可以通過(guò)分層、恰當的布局布線(xiàn)和安裝實(shí)現PCB的抗ESD設計。通過(guò)調整PCB布局布線(xiàn)，能夠很好地防范ESD.盡可能使用多層PCB，相對于雙面PCB而言，地平面和電源平面，以及排列緊密的信號線(xiàn)-地線(xiàn)間距能夠減小共模阻抗和感性耦合，使之達到雙面PCB的1/10到1/100.對于頂層和底層表面都有元器件、具有很短連接線(xiàn)。詳細閱讀>>

關(guān)于靜電放電保護的專(zhuān)業(yè)知識，不看可惜了！

靜電，通常都是人為產(chǎn)生的，如生產(chǎn)、組裝、測試、存放、搬運等過(guò)程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設備中，甚至元器件本身也會(huì )累積靜電，當人們在不知情的情況下使這些帶電的物體接觸就會(huì )形成放電路徑，瞬間使得電子元件或系統遭到靜電放電的損壞(這就是為什么以前修電腦都必須要配戴靜電環(huán)托在工作桌上，防止人體的靜電損傷芯片)，如同云層中儲存的電荷瞬間擊穿云層產(chǎn)生劇烈的閃電，會(huì )把大地劈開(kāi)一樣，而且通常都是在雨天來(lái)臨之際，因為空氣濕度大易形成導電通到。詳細閱讀>>

如何有效防護靜電放電？

在尺寸不斷縮小的微電子時(shí)代，如果靜電放電(ESD)瞬變未加抑制地在PCB走線(xiàn)上出現之前你不去主動(dòng)地阻止它們，那么ESD事件很可能毀了你的產(chǎn)品。詳細閱讀>>

基礎知識

電子產(chǎn)品的靜電放電保護（一）

為了提高產(chǎn)品的耐受性，影響整個(gè)電子業(yè)的四個(gè)長(cháng)期趨勢，促使靜電放電(ESD)保護在目的性工程的總體實(shí)踐中日益重要。首先，與數年前相比，隨著(zhù)用戶(hù)、信號I/O功能日益復雜和流行，產(chǎn)品上ESD的閃擊進(jìn)入點(diǎn)多了許多。尤其是對于信號I/O端口，以及小鍵盤(pán)、指示器、顯示器。詳細閱讀>>

電子產(chǎn)品的靜電放電保護（二）

實(shí)際上，所有ESD測試標準都涉及了沖擊源模型，例如人體、機器或充電器件。這些模型精確地解釋了測試源的導電特性。最新的測試標準如普遍應用的IEC-61000-4-2，詳述了沖擊波形，進(jìn)一步將測試源簡(jiǎn)化成測試源變量參數，為研究和評估各種高速瞬態(tài)緩解辦法提供了關(guān)鍵信息。詳細閱讀>>

元器件靜電放電損傷及防護

隨著(zhù)微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，特別是隨著(zhù)集成電路特征尺寸的減小以及MOS集成電路的廣泛使用，新型集成電路普遍具有線(xiàn)間距短、線(xiàn)細、集成度高、運算速度快、低功率和輸入阻抗高等特點(diǎn)，因而導致這類(lèi)器件對靜電放電越來(lái)越敏感。詳細閱讀>>

ESD的設計學(xué)問(wèn)太深了，這里只是拋磚引玉給大家科普一下了，基本上ESD的方案有如下幾種:電阻分壓、二極管、MOS、寄生BJT、SCR(PNPN structure)等幾種方法。而且ESD不僅和Design相關(guān)，更和FAB的process相關(guān)，而且學(xué)問(wèn)太深了，這里我也不是很了解，無(wú)法給再大家深入了。當然術(shù)業(yè)專(zhuān)攻學(xué)無(wú)止境，工作中只有不斷學(xué)習才會(huì )創(chuàng )收更高效益。