精品久久久久久无码中文野结衣_如何區分寄生電容與分布電容？

干貨

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì )增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。

功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測

在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術(shù)基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實(shí)際去磁后出現的零電壓進(jìn)行檢測(ZCD)。在準諧振工作中，重新啟動(dòng)新一輪導通周期的最佳時(shí)機位于功率MOSFET漏極電壓的"谷點(diǎn)"處。詳細閱讀>>

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。詳細閱讀>>

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

從20nm技術(shù)節點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì )導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。詳細閱讀>>

寄生電容對串聯(lián)諧振電容器充電電源特性的影響

本文研究了理想串聯(lián)諧振電容器充電電源的電流特性和實(shí)際串聯(lián)諧振電容器充電電源的電流特性，分析了充電系統中高壓變壓器和高壓整流二極管的寄生參數的影響，采用等值電路來(lái)描述變壓器和二極管中復雜的寄生電容，并且可以通過(guò)試驗來(lái)測得，指出由于變壓器和二極管寄生電容的存在，使所設計的高壓串聯(lián)諧振充電電源變成了一個(gè)高壓串并聯(lián)諧振充電電源，其充電電流并不恒定。詳細閱讀>>

電容傳感器寄生電容干擾的產(chǎn)生原因及消除方法

電容式傳感器具有結構簡(jiǎn)單，靈敏度高，溫度穩定性好，適應性強，動(dòng)態(tài)性能好等一系列優(yōu)點(diǎn)，目前在檢測技術(shù)中不僅廣泛應用于位移、振動(dòng)、角度、加速度等機械量的測量，還可用于液位、壓力、成份含量等熱工方面的測量中。但由于電容式傳感器的初始電容量很小，一般在皮法級，而連接傳感器與電子線(xiàn)路的引電纜電容、電子線(xiàn)路的雜散電容以及傳感器內極板與周?chē)鷮w構成的電容等所形成的寄生電容卻較大，不僅降低了傳感器的靈敏度，而且這些電容是隨機變化的，使得儀器工作很不穩定，從而影響測量精度...詳細閱讀>>

一文讀懂：寄生電容

X9C102,X9C103,X9C104是美國Xicor公司的高精度數字電位器，電位器的阻值和型號的后綴數字相同，分別是1k(102), 10k(103),100k(104)等。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

如何妙用二極管減少信號線(xiàn)上的寄生電容

二極管以其單向導電特性，在整流開(kāi)關(guān)方面發(fā)揮著(zhù)重要的作用；其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結電容，能夠有效地減少信號線(xiàn)上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個(gè)運用。詳細閱讀>>

寄生電容耦合到電源：如何避免傳導EMI問(wèn)題

電磁干擾EMI中電子設備產(chǎn)生的干擾信號是通過(guò)導線(xiàn)或公共電源線(xiàn)進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱(chēng)為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導干擾？這里，我們先著(zhù)重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線(xiàn)時(shí)會(huì )發(fā)生的情況。詳細閱讀>>

MOSFET的寄生電容是如何影響其開(kāi)關(guān)速度的？

我們應該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時(shí)，漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時(shí)，MOSFET 的等效電路就成了圖 2 的樣子了。詳細閱讀>>

實(shí)際上,由于頻率的不斷提高,致使引線(xiàn)寄生電感、寄生電容的影響愈加嚴重,對器件造成更大的電應力(表現為過(guò)電壓、過(guò)電流毛刺)。為了提高系統的可靠性,有些制造商開(kāi)發(fā)了"用戶(hù)專(zhuān)用"功率模塊(ASPM),它把一臺整機的幾乎所有硬件都以芯片的形式安裝到一個(gè)模塊中,使元器件之間不再有傳統的引線(xiàn)連接,這樣的模塊經(jīng)過(guò)嚴格、合理的熱、電、機械方面的設計,達到優(yōu)化完美的境地。