99re66久久在热青草_談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

干貨

在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。

SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢

低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓... 詳細閱讀>>

如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)"SiC"）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。詳細閱讀>>

Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。詳細閱讀>>

如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開(kāi)關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數，以實(shí)現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見(jiàn)解。詳細閱讀>>

SiC MOSFET的短溝道效應

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來(lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著(zhù)重看下第一部分——短溝道效應。詳細閱讀>>

用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

.使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅動(dòng)優(yōu)化電源系統

在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和光伏 (PV) 系統等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉換器、電池充電器、電機驅動(dòng)器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關(guān)斷時(shí)需要精確的驅動(dòng)電壓（具體取決于所使用的器件）。詳細閱讀>>

用于車(chē)載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開(kāi)關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長(cháng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著(zhù)。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無(wú)橋 PFC 拓撲，因為它有著(zhù)卓越... 詳細閱讀>>

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。詳細閱讀>>

總結一下，商業(yè)化的SiC MOSFET普遍采用短溝道設計，用來(lái)降低導通電阻，這使得DIBL（漏致勢壘降低效應）比較明顯。SiC MOSFET中的DIBL效應首先表現在飽和電流隨VDS上升而上升，其次表現在柵極電荷曲線(xiàn)中的米勒平臺段呈斜線(xiàn)。從圖中計算得出SiC的QGD需要將VDS與柵極電荷曲線(xiàn)疊加在一起，通過(guò)限定邊界條件的方式得出。