【導讀】比較器電路可能是電子設計中最具象征意義的故意磁滯。顧名思義，比較器是一種比較兩個(gè)輸入信號并通過(guò)其輸出電壓指示兩個(gè)輸入中哪個(gè)電壓較高的裝置。
了解電比較器電路、磁性元件和大功率設備中磁滯的行為及優(yōu)點(diǎn)。
在前面的兩篇文章中，我介紹了磁滯的概念，并詳細闡述了磁滯系統的輸出如何依賴(lài)于輸入的當前狀態(tài)和系統的歷史。在這篇文章中，我想探討一些電氣工程應用，受益于磁滯。
比較器電路中的磁滯現象
比較器電路可能是電子設計中最具象征意義的故意磁滯。顧名思義，比較器是一種比較兩個(gè)輸入信號并通過(guò)其輸出電壓指示兩個(gè)輸入中哪個(gè)電壓較高的裝置。
一個(gè)基本的模擬比較器就是一個(gè)高增益的差分放大器，這就是為什么一個(gè)沒(méi)有負反饋的運算放大器可以成為一個(gè)合格的比較器。然而，運算放大器并沒(méi)有針對比較器功能進(jìn)行優(yōu)化，所以最好使用真正的比較器IC。
理想的非磁滯比較器只有一個(gè)差分輸入閾值。通常該閾值為0 V，這意味著(zhù)當兩個(gè)輸入信號之間的差值為零時(shí)，輸出將轉換。因此，一旦非反相輸入處的電壓上升到反相輸入處的電壓之上，則輸出迅速增加到比較器的正電源電壓；一旦非反相輸入端的電壓低于反相輸入端的電壓，輸出端就轉換為負電源電壓。
這些在紙上看起來(lái)都不錯，但在實(shí)際電路中，單閾值模型往往不令人滿(mǎn)意。問(wèn)題（和往常一樣）是噪音。盡管“真實(shí)”（也就是說(shuō)，無(wú)噪聲）輸入信號僅相互交叉一次，但影響所有實(shí)際信號的小幅度波動(dòng)可導致多個(gè)輸出轉換。
我們可以在圖1中看到這一點(diǎn)，其中藍色曲線(xiàn)表示比較器非反相輸入處的信號。黑線(xiàn)表示連接到反向輸入的電壓，用作參考電平。
具有遞減輸入信號的單閾值比較器電路。
圖1：一種單閾值比較器電路。使用的圖像由All About Circuits提供
當藍色曲線(xiàn)遠高于參考電平時(shí)，輸出位于或接近正導軌。當它遠低于參考水平，輸出是在或接近負軌。當藍色曲線(xiàn)接近參考水平時(shí)，故障發(fā)生。由于差分閾值為0 V，因此每次發(fā)生任何類(lèi)型的交叉時(shí)，輸出都會(huì )轉換。此處所需的行為僅為一個(gè)輸出轉換，因為藍色信號的無(wú)噪版本只會(huì )導致一個(gè)轉換。然而，對于噪聲，我們得到三個(gè)躍遷。
通過(guò)同時(shí)考慮系統的當前狀態(tài)和歷史，可以大大減少虛假躍遷的次數。實(shí)際上，這類(lèi)似于圖2：一個(gè)比較器電路，其中磁滯產(chǎn)生兩個(gè)單獨的閾值，一個(gè)用于增加的輸入信號，另一個(gè)用于減少的輸入信號。
一種具有遞增和遞減輸入閾值的磁滯比較器。
圖2：具有遞增輸入閾值（綠線(xiàn)）和遞減輸入閾值（紅線(xiàn)）的磁滯比較器。圖片由All About Circuits和Robert Keim提供
此圖演示了如果將一個(gè)參考電平轉換為兩個(gè)單獨的閾值電平（此處用紅線(xiàn)和綠線(xiàn)表示），如何避免虛假轉換。由遞增信號引起的轉換要求輸入跨過(guò)綠色閾值，而由遞減信號引起的轉換要求輸入跨過(guò)紅色閾值。這只發(fā)生一次（如圖3中的紅色圓圈所示），因此只生成一個(gè)輸出轉換。
圖2中的電路，帶有一個(gè)紅色圓圈標記輸入轉換的位置。
圖3：圖2中的電路，用一個(gè)紅色圓圈標記輸入穿過(guò)下限閾值的點(diǎn)。圖片由All About Circuits和Robert Keim提供
磁滯是通過(guò)向比較器IC添加正反饋來(lái)實(shí)現的。我們將在下一篇文章中討論電路設計細節。
磁滯與數據存儲
正如我在前一篇文章中所解釋的，磁滯既可以是浪費能量的不希望的來(lái)源，也可以是抑制噪聲的有益手段。然而，在電子技術(shù)的一般歷史中，更重要的是：磁滯是硬盤(pán)驅動(dòng)器和其他磁存儲介質(zhì)中數據存儲的基本原理。
由鐵磁材料制成的磁存儲介質(zhì)，就磁場(chǎng)強度和磁通密度而言，鐵磁材料是自然磁滯的。例如，一塊鐵具有類(lèi)似于圖4的磁滯曲線(xiàn)。
鐵的磁滯曲線(xiàn)。
圖4：鐵的磁滯曲線(xiàn)。使用的圖像由All About Circuits提供
一旦這類(lèi)材料被磁化，將磁場(chǎng)強度減小到零不會(huì )使磁通密度減小到零。為了消除磁化，你必須施加一個(gè)相反極性的磁場(chǎng)。由于當外加磁場(chǎng)失活時(shí)，磁通密度不會(huì )衰減到零，因此在移除功率后，材料可以保留信息。因此，它可以作為非易失性存儲器。
晶閘管的閉鎖特性
我提到過(guò)，我們通過(guò)創(chuàng )建一條正反饋路徑來(lái)給比較器增加磁滯。晶閘管是一種半導體器件，其內部結構包含正反饋，從而以閉鎖動(dòng)作的形式顯示磁滯。圖5顯示了一種稱(chēng)為可控硅整流器（SCR）的晶閘管的物理結構、等效電路和示意圖符號。
SCR物理圖、等效原理圖和原理圖符號。
圖5：SCR物理圖、等效原理圖和原理圖符號。使用的圖像由All About Circuits提供
雙向可控硅是可控硅的雙向版本。如圖6所示，它相當于兩個(gè)互連的SCR。
雙向晶閘管等效電路和原理圖符號。
圖6：雙向晶閘管等效電路和原理圖符號。使用的圖像由All About Circuits提供
SCR和TRIAC是電控閉鎖開(kāi)關(guān)。柵極處的信號使這些器件導通電流，并且在移除柵極信號后，它們繼續導通電流。當流經(jīng)該器件的電流低于稱(chēng)為保持電流的閾值時(shí)，該器件退出鎖定狀態(tài)。
這種滯回特性在各種高功率應用中都很有價(jià)值。例如，雙向晶閘管在交流應用中特別有用，因為交流應用必須調整傳送到負載調光器電路的平均功率。
我們已經(jīng)看了三個(gè)例子磁滯作為設計和改進(jìn)電子電路的工具。這些例子為我們提供了一個(gè)全面的概念，即磁滯提供的好處，它可以使系統對噪聲更加魯棒，便于數據存儲，并簡(jiǎn)化大功率和交流系統中的控制任務(wù)。我將在下一篇文章中總結這一系列關(guān)于磁滯的內容，這篇文章將使用LTspice來(lái)模擬探索比較器電路中的磁滯。
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