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OBC設計不斷升級，揭秘如何適應更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車(chē)(EV)必須延長(cháng)續航里程，方可與傳統的內燃機(ICE)汽車(chē)相媲美。解決這個(gè)問(wèn)題主要有兩種方法：在不顯著(zhù)增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運行能效。為應對電子元件導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗造成的巨大功率損耗，汽車(chē)制造商正在通過(guò)提高電池電壓來(lái)增加車(chē)輛的續航里程。
2024-08-22
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不斷改進(jìn) OBC 設計，適應更高的功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車(chē) (EV) 必須延長(cháng)續航里程，方可與傳統的內燃機 (ICE) 汽車(chē)相媲美。解決這個(gè)問(wèn)題主要有兩種方法：在不顯著(zhù)增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運行能效。
2024-08-08
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第1講：三菱電機功率器件發(fā)展史
三菱電機從事功率半導體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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觀(guān)眾登記開(kāi)啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來(lái)見(jiàn)，20+重磅活動(dòng)與數千新品引爆AI+技術(shù)生態(tài)
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會(huì )展中心（福田）開(kāi)幕。展會(huì )為電子產(chǎn)業(yè)復蘇以及AI時(shí)代到來(lái)準備好了全棧技術(shù)和產(chǎn)品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲、智能傳感、RISC-V技術(shù)與生態(tài)、AIoT方案、無(wú)源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進(jìn)封裝等。
2024-07-18
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功率器件模塊：一種滿(mǎn)足 EMI 規范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì )產(chǎn)生傳導型 EMI。在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉換過(guò)程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì )迅速改變狀態(tài)。開(kāi)、關(guān)狀態(tài)間變化會(huì )產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開(kāi)關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
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意法半導體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics, 簡(jiǎn)稱(chēng)ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過(guò)整合同一地點(diǎn)現有的碳化硅襯底制造廠(chǎng)，意法半導體將打造一個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)園，實(shí)現公司在同一個(gè)園區內全面垂直整合制造及量產(chǎn)碳化硅的愿景。新碳化硅產(chǎn)業(yè)園的落地是意法半導體的一個(gè)重要里程碑，將幫助客戶(hù)借助碳化硅在汽車(chē)、工業(yè)和云基礎設施等領(lǐng)域加速電氣化，提高能效。
2024-06-08
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吉利汽車(chē)與意法半導體簽署碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉型，推動(dòng)雙方創(chuàng )新合作
服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng )新解決方案。
2024-06-06
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使用 GaN IC 離線(xiàn)電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡(jiǎn)化轉換器方面已經(jīng)取得了長(cháng)足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉換器設計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據與適配器內的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅動(dòng)電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。
2024-04-07
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過(guò)調節直流母線(xiàn)電壓和第一個(gè)脈沖持續時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動(dòng)，有時(shí)會(huì )出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì )在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標稱(chēng)短路時(shí)間是2us。
2024-02-01
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過(guò)調節直流母線(xiàn)電壓和第一個(gè)脈沖持續時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結果量化了功率器件的開(kāi)關(guān)性能，并為功率變換器的設計（如開(kāi)關(guān)頻率和死區時(shí)間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
- 車(chē)輛區域控制架構關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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